Raman scattering in crystals with order-disorder type phase transition

The theory based on the “operator” two-time Green functions formalism
 applied for the construction of the polarizability operators entering the general expression for the effective cross-section of Raman scattering is developed. The presented microscopic scheme is applied to the investigati...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:1999
1. Verfasser: Ivankiv, Ya.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120544
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Raman scattering in crystals with order-disorder type phase transition / Ya. Ivankiv // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 523-529. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:The theory based on the “operator” two-time Green functions formalism
 applied for the construction of the polarizability operators entering the general expression for the effective cross-section of Raman scattering is developed. The presented microscopic scheme is applied to the investigation
 of the ferroelectrics with hydrogen bonds. На основі формалізму двочасових функцій Гріна розвинуто теорію
 побудови оператора поляризованості, що входить у загальний вираз для ефективного поперечного перерізу раманівського розсіяння. Представлена мікроскопічна схема використовується для дослідження сегнетоелектриків з водневими зв’язками.
ISSN:1607-324X