Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels
Low-temperature luminescence spectra under broad-scale variation of an
 excitation level Iexc are studied for ZnS/ZnSe single quantum wells (QW)
 and for CdS bulk crystals and epilayers. In the first case, the manifestations
 turn out to be of the heterointerface inhomogeneity...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
1999
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120545 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels / M.S. Brodyn, S.G. Shevel, V.V. Tishchenko // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 531-542. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862715208445722624 |
|---|---|
| author | Brodyn, M.S. Shevel, S.G. Tishchenko, V.V. |
| author_facet | Brodyn, M.S. Shevel, S.G. Tishchenko, V.V. |
| citation_txt | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels / M.S. Brodyn, S.G. Shevel, V.V. Tishchenko // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 531-542. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | Low-temperature luminescence spectra under broad-scale variation of an
excitation level Iexc are studied for ZnS/ZnSe single quantum wells (QW)
and for CdS bulk crystals and epilayers. In the first case, the manifestations
turn out to be of the heterointerface inhomogeneity - i.e. fluctuations of QW
thickness. The position of the mobility edge for excitons localized by fluctuations is determined. In the second case the effect of the increase of Iexc
is systematically studied not only for excitonic but also for impurity-related
edge luminescence. Contrary to the earlier and commonly assumed expectations, up to the highest Iexc close to damage threshold no saturation of
edge luminescence intensity was observed in bulk CdS crystals, whereas
in a few thick epilayers such saturation did occur. The suggested qualitative
explanation takes into account diffusion (non-diffusive transport) of carriers
beyond the excited near-surface layer.
Дослiджено спектри низькотемпературної люмiнесценцiї при варiацiї рiвня збудження I у широкому дiапазонi для одиночних квантових ям (КЯ) ZnS/ZnSe та об’ємних кристалiв i епiтаксiйних шарiв
CdS. У першому випадку знайдено прояви неоднорiдностi гетерограницi, тобто флуктуацiй товщини КЯ. Визначено енергетичну позицiю краю рухливостi для екситонiв, локалiзованих на флуктуацiях.
У другому випадку систематично вивчений вплив зростання I не лише на екситонну, а й на пов’язану з домiшками крайову люмiнесценцiю. На вiдмiну вiд загальноприйнятих ранiше уявлень, при збiльшеннi I аж до порогу руйнування не спостерiгалося нiякого насичення iнтенсивностi крайової люмiнесценцiї в об’ємних кристалах CdS. У той
же час в епiтаксiйних шарах товщиною декiлька мiкронiв таке насичення справдi мало мiсце. Пропонується пояснення на якiсному рiвнi,
яке враховує дифузiю (недифузiйний транспорт) носiїв зi збудженого
приповерхневого шару.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:56:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120545 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:56:44Z |
| publishDate | 1999 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Brodyn, M.S. Shevel, S.G. Tishchenko, V.V. 2017-06-12T10:45:03Z 2017-06-12T10:45:03Z 1999 Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels / M.S. Brodyn, S.G. Shevel, V.V. Tishchenko // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 531-542. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.2.3.531 PACS: 78.20.-e https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120545 Low-temperature luminescence spectra under broad-scale variation of an
 excitation level Iexc are studied for ZnS/ZnSe single quantum wells (QW)
 and for CdS bulk crystals and epilayers. In the first case, the manifestations
 turn out to be of the heterointerface inhomogeneity - i.e. fluctuations of QW
 thickness. The position of the mobility edge for excitons localized by fluctuations is determined. In the second case the effect of the increase of Iexc
 is systematically studied not only for excitonic but also for impurity-related
 edge luminescence. Contrary to the earlier and commonly assumed expectations, up to the highest Iexc close to damage threshold no saturation of
 edge luminescence intensity was observed in bulk CdS crystals, whereas
 in a few thick epilayers such saturation did occur. The suggested qualitative
 explanation takes into account diffusion (non-diffusive transport) of carriers
 beyond the excited near-surface layer. Дослiджено спектри низькотемпературної люмiнесценцiї при варiацiї рiвня збудження I у широкому дiапазонi для одиночних квантових ям (КЯ) ZnS/ZnSe та об’ємних кристалiв i епiтаксiйних шарiв
 CdS. У першому випадку знайдено прояви неоднорiдностi гетерограницi, тобто флуктуацiй товщини КЯ. Визначено енергетичну позицiю краю рухливостi для екситонiв, локалiзованих на флуктуацiях.
 У другому випадку систематично вивчений вплив зростання I не лише на екситонну, а й на пов’язану з домiшками крайову люмiнесценцiю. На вiдмiну вiд загальноприйнятих ранiше уявлень, при збiльшеннi I аж до порогу руйнування не спостерiгалося нiякого насичення iнтенсивностi крайової люмiнесценцiї в об’ємних кристалах CdS. У той
 же час в епiтаксiйних шарах товщиною декiлька мiкронiв таке насичення справдi мало мiсце. Пропонується пояснення на якiсному рiвнi,
 яке враховує дифузiю (недифузiйний транспорт) носiїв зi збудженого
 приповерхневого шару. This work was supported in part by INTAS program within the project 94–324
 and by the Fundamental Research State Fund, Ukraine (grant 2.4/86).
 We are grateful to A.Kovalenko, M.Vytrikhivski, M. Gru¨n and M.Hetterich for
 providing the samples for the present studies, to M.Bondar and V.Vozny for the
 assistance in the experiments and to Prof. C.Klingshirn for stimulating discussions. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels Експериментальні дослідження рекомбінаційних процесів у напівпровідниках A2B6 (об’ємні кристали і епітаксійні шари) при варіації рівня збудження Article published earlier |
| spellingShingle | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels Brodyn, M.S. Shevel, S.G. Tishchenko, V.V. |
| title | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels |
| title_alt | Експериментальні дослідження рекомбінаційних процесів у напівпровідниках A2B6 (об’ємні кристали і епітаксійні шари) при варіації рівня збудження |
| title_full | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels |
| title_fullStr | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels |
| title_full_unstemmed | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels |
| title_short | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels |
| title_sort | experimental studies of the recombination processes in ii-vi semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120545 |
| work_keys_str_mv | AT brodynms experimentalstudiesoftherecombinationprocessesiniivisemiconductorsbulkcrystalsandepilayersatvariableexcitationlevels AT shevelsg experimentalstudiesoftherecombinationprocessesiniivisemiconductorsbulkcrystalsandepilayersatvariableexcitationlevels AT tishchenkovv experimentalstudiesoftherecombinationprocessesiniivisemiconductorsbulkcrystalsandepilayersatvariableexcitationlevels AT brodynms eksperimentalʹnídoslídžennârekombínacíinihprocesívunapívprovídnikaha2b6obêmníkristaliíepítaksíiníšariprivaríacíírívnâzbudžennâ AT shevelsg eksperimentalʹnídoslídžennârekombínacíinihprocesívunapívprovídnikaha2b6obêmníkristaliíepítaksíiníšariprivaríacíírívnâzbudžennâ AT tishchenkovv eksperimentalʹnídoslídžennârekombínacíinihprocesívunapívprovídnikaha2b6obêmníkristaliíepítaksíiníšariprivaríacíírívnâzbudžennâ |