Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
Uniform thermal field with the axial temperature gradient of 11.6 K/cm was formed in a cylindrical heater. There were obtained 15x85x300 mm3 sapphire ribbons with dislocation density up to 103 cm-2. The dislocation density of sapphire ribbons at the axial temperature gradient of 11.6 K/cm was found...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | Safronov, R.I., Litvinov, L.A., Voloshin, A.V., Bochkov, V.F. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120575 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density / R.I. Safronov, L.A. Litvinov, A.V. Voloshin, V.F. Bochkov // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 1. — С. 88-91. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Some peculiarities of the use of sapphire light guides in metallurgy
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010)
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Sapphire subdivision at different heat treating types
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2017)
Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parphenyuk, P.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Specific growing features of variable section sapphire articles by Stepanov technique
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konevskiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Optimization of temperature conditions for the growth of large-size sapphire crystals by the method of horizontally directed crystallization
за авторством: Grin, L.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Grin, L.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Thermochemical etching of sapphire in CO+H₂ gas atmosphere
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kaltaev, Kh.Sh.-ogly, та інші
Опубліковано: (2010)
Anisotropy of deformation and fracture processes in sapphire surface
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2015)
Transient mode features at sapphire growing by horizontal directional crystallization
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Barannik, S.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Polishing substrates of single crystal silicon carbide and sapphire for optoelectronics
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Filatov, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2016)
Deagglomeration of aerosil in polishing suspension for chemical-mechanical polishing of sapphire
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
Chemical-mechanical polishing of sapphire by polishing suspension based on aerosil
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Vovk, E.A.
Опубліковано: (2015)
Size distribution of sapphire fragments in shock fragmentation
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of the crystallographic orientation on the sapphire surface roughness in diamond machining
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)
The effect of a refrigerant on the efficiency of machining sapphire
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Voloshin, та інші
Опубліковано: (2013)
Impact fragmentation of sapphire
за авторством: P. V. Konevskij, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: P. V. Konevskij, та інші
Опубліковано: (2015)
Elastic interaction energy of point defects with a basal dislocation loop in zirconium
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2020)
Wettability of sapphire
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2006)
The Lifshitz-Rosenzweig method in calculations of the bias of basic dislocation loops in zirconium
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Trotsenko, O.G., та інші
Опубліковано: (2022)
Peculiarity of sapphire application in medicine
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2014)
The low energy ribbon ion beam source and transport system
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2006)
On the words used as names for ruby and sapphire
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Lytvynov, L.A.
Опубліковано: (2011)
The formation of the low-sized high density plasma structures in the self-maintained plasma-beam discharge
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Borisko, V.N., та інші
Опубліковано: (2006)
Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)
Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Azarenkov, N.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Production of radiopure natural and isotopically enriched cadmium and zinc for low background scintillators
за авторством: Kovtun, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kovtun, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Dislocation mechanisms of low-temperature acoustic relaxation in the iron
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2019)
Dependence of sapphire hardness on loading type and orientation
за авторством: Sinani, A.B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sinani, A.B., та інші
Опубліковано: (2009)
Influence of leucosapphire tubes growing conditions on strength of insulators made of the tubes
за авторством: Vybyvanets, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vybyvanets, V.I., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of technological parameters on metal density at large ingots manufacturing
за авторством: M. V. Efimov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: M. V. Efimov, та інші
Опубліковано: (2017)
Dislocation mechanism of low-temperature internal friction in nanostructured materials
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. D. Natsik, та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)
The dislocation resonance absorption of ultrasoundin KBr crystals at low temperatures
за авторством: Petchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Petchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2009)
The flow density of atoms sputtered from a cathode of cylinder magnetron
за авторством: Panchenko, O.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Panchenko, O.A., та інші
Опубліковано: (2005)
The Digital Twin and Optimization of Cast Metal Structures in Additive Manufacturing
за авторством: Doroshenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Doroshenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)
Stamp stress analysis with low temperature nanoimprint lithography
за авторством: Hongwen Sun, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Hongwen Sun, та інші
Опубліковано: (2016)
Development of diamond grinding ribbons on rubber bond
за авторством: V. M. Bychykhin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: V. M. Bychykhin, та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Some peculiarities of the use of sapphire light guides in metallurgy
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010) -
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Sapphire subdivision at different heat treating types
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2017) -
Structure perfection of bulk and near-surface layers in sapphire single crystals
за авторством: Tkachenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2007)