Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density
Uniform thermal field with the axial temperature gradient of 11.6 K/cm was formed in a cylindrical heater. There were obtained 15x85x300 mm3 sapphire ribbons with dislocation density up to 103 cm-2. The dislocation density of sapphire ribbons at the axial temperature gradient of 11.6 K/cm was found...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | Safronov, R.I., Litvinov, L.A., Voloshin, A.V., Bochkov, V.F. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2016
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120575 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Manufacture of sapphire ribbons with low dislocation density / R.I. Safronov, L.A. Litvinov, A.V. Voloshin, V.F. Bochkov // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 1. — С. 88-91. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Potentialities for sapphire strength enhancement
за авторством: Voloshyn, O.V., та інші
Опубліковано: (2007) -
Some peculiarities of the use of sapphire light guides in metallurgy
за авторством: Zhukov, L.F., та інші
Опубліковано: (2010) -
Polishing of AlN/sapphire substrates obtained by thermochemical nitridation of sapphire
за авторством: Vovk, E.A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Sapphire subdivision at different heat treating types
за авторством: Brodskii, R.Ye., та інші
Опубліковано: (2017) -
Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review)
за авторством: P. V. Parphenyuk, та інші
Опубліковано: (2016)