Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films
The results of the conductivity examination in the Bi₁₂SiO₂₀ thin films prepared using the sol-gel method are presented. The conductivity was investigated in the 300–550 K temperature and up to 100 V/cm field ranges. It
 was observed that the charge carrier transfer at the flow level, situated...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 1999 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
1999
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120588 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films / S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii, E.O. Klebanskii, L.Ja. Sadovskaya // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 625-630. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862675975123238912 |
|---|---|
| author | Plyaka, S.N. Sokolyanskii, G.Ch. Klebanskii, E.O. Sadovskaya, L.Ja. |
| author_facet | Plyaka, S.N. Sokolyanskii, G.Ch. Klebanskii, E.O. Sadovskaya, L.Ja. |
| citation_txt | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films / S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii, E.O. Klebanskii, L.Ja. Sadovskaya // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 625-630. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | The results of the conductivity examination in the Bi₁₂SiO₂₀ thin films prepared using the sol-gel method are presented. The conductivity was investigated in the 300–550 K temperature and up to 100 V/cm field ranges. It
was observed that the charge carrier transfer at the flow level, situated in
the tail of the density of states into the forbidden band is dominant for the
investigated sample at T > 500 K. The obtained results are explained in
terms of the highly compensated doped semiconductor model.
Тонкi плiвки сiленiту вiсмуту були отриманi золь-гель методом. У широкому діапазонi полів та температур були дослiдженi вольт-ампернi
характеристики та електропровiднiсть. Знайдено, що перенесення носiїв заряду в тонких плiвках при T > 500 K здiйснюється по
рiвню протiкання, розташованому у хвостi густини локалiзованих
станiв. Отриманi результати обговорюються у рамках моделi легованих компенсованих напiвпровiдникiв.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:41:16Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120588 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T15:41:16Z |
| publishDate | 1999 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Plyaka, S.N. Sokolyanskii, G.Ch. Klebanskii, E.O. Sadovskaya, L.Ja. 2017-06-12T11:57:04Z 2017-06-12T11:57:04Z 1999 Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films / S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii, E.O. Klebanskii, L.Ja. Sadovskaya // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 625-630. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.2.4.625 PACS: 73.61 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120588 The results of the conductivity examination in the Bi₁₂SiO₂₀ thin films prepared using the sol-gel method are presented. The conductivity was investigated in the 300–550 K temperature and up to 100 V/cm field ranges. It
 was observed that the charge carrier transfer at the flow level, situated in
 the tail of the density of states into the forbidden band is dominant for the
 investigated sample at T > 500 K. The obtained results are explained in
 terms of the highly compensated doped semiconductor model. Тонкi плiвки сiленiту вiсмуту були отриманi золь-гель методом. У широкому діапазонi полів та температур були дослiдженi вольт-ампернi
 характеристики та електропровiднiсть. Знайдено, що перенесення носiїв заряду в тонких плiвках при T > 500 K здiйснюється по
 рiвню протiкання, розташованому у хвостi густини локалiзованих
 станiв. Отриманi результати обговорюються у рамках моделi легованих компенсованих напiвпровiдникiв. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films Провiднiсть тонких плiвок Bi₁₂SiO₂₀ Article published earlier |
| spellingShingle | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films Plyaka, S.N. Sokolyanskii, G.Ch. Klebanskii, E.O. Sadovskaya, L.Ja. |
| title | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films |
| title_alt | Провiднiсть тонких плiвок Bi₁₂SiO₂₀ |
| title_full | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films |
| title_fullStr | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films |
| title_full_unstemmed | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films |
| title_short | Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films |
| title_sort | conductivity of the bi₁₂sio₂₀ thin films |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120588 |
| work_keys_str_mv | AT plyakasn conductivityofthebi12sio20thinfilms AT sokolyanskiigch conductivityofthebi12sio20thinfilms AT klebanskiieo conductivityofthebi12sio20thinfilms AT sadovskayalja conductivityofthebi12sio20thinfilms AT plyakasn providnistʹtonkihplivokbi12sio20 AT sokolyanskiigch providnistʹtonkihplivokbi12sio20 AT klebanskiieo providnistʹtonkihplivokbi12sio20 AT sadovskayalja providnistʹtonkihplivokbi12sio20 |