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Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin ﬁlms

The results of the conductivity examination in the Bi₁₂SiO₂₀ thin ﬁlms prepared using the sol-gel method are presented. The conductivity was investigated in the 300–550 K temperature and up to 100 V/cm ﬁeld ranges. It was observed that the charge carrier transfer at the ﬂow level, situated in the...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Condensed Matter Physics
Datum:	1999
Hauptverfasser:	Plyaka, S.N., Sokolyanskii, G.Ch., Klebanskii, E.O., Sadovskaya, L.Ja.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120588
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin ﬁlms / S.N. Plyaka, G.Ch. Sokolyanskii, E.O. Klebanskii, L.Ja. Sadovskaya // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 4(20). — С. 625-630. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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