Scintillation, phonon and defect channel balance, the sources for fundamental yield increase

• Опубліковано в: : Functional Materials
• Дата: 2016
• Автори: Gektin, A., Vasil'ev, A.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2016
• Теми: Characterization and properties
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120605
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Scintillation, phonon and defect channel balance, the sources for fundamental yield increase / A. Gektin, A. Vasil'ev // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 2. — С. 183-190. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

The estimation of the fundamental limits of scintillation efficiency requires the analysis not only of electron channel of the energy transformation but also of the role of interplay between electron and phonon channels. The well-known factor beta which estimates the efficiency of electron-hole pair...