Зображення обкладинки

GaSb whiskers in sensor electronics

Piezoresistive properties of gallium antimonide whiskers grown from the vapour phase by chemical transport reaction were studied in the temperature range of -150÷+100°C. The possibility to create different piezoresistive mechanical sensors based on these microcrystals was shown. On the basis of n- a...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в:	Functional Materials
Дата:	2016
ISSN:	1027-5495
Автори:	Druzhinin, A.A., Maryamova, I.I., Kutrakov, O.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2016
Теми:	Characterization and properties
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120612
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	GaSb whiskers in sensor electronics / A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, O.P. Kutrakov // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 2. — С. 206-211. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Strain induced effects in p-type silicon whiskers at low temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)

Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)

Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Individuality of photoresponse dynamics of semiconductor sensors
за авторством: Mygal, V.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Role of shallow electronic traps formed by oxygen vacancies in formation of luminescent properties of CeO₂₋x nanocrystals
за авторством: Maksimchuk, P.O., та інші
Опубліковано: (2014)

Phosphorylated thiacalixarenes as molecular receptors for QCM sensors of volatile compounds
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Platinum containing sensor nanomaterials based on tin dioxide to detect methane in air
за авторством: Oleksenko, L.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Temperature and composition effects on elastic properties of CdZnSb solid solution single crystals
за авторством: Balazyuk, V.N., та інші
Опубліковано: (2008)

Electron-conformational rearrangement in nanocomposites films of poly-N-epoxypropylcarbazole with fullerenes C₆₀
за авторством: Olasyuk, O.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Dual-function pressure-temperature sensor based on silicon whiskers
за авторством: A. A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2013)

Evolution of the time and spatial photoresponse instabilities of the sensors based on CdZnTe crystals
за авторством: But, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

The influence of carbon nanotubes on the sensitivity of humidity sensors based on organic-inorganic polymer materials
за авторством: Lysenkov, E.A., та інші
Опубліковано: (2015)

Impedance spectroscopy of composites based on porous silicon and silica aerogel for sensor applications
за авторством: Karlash, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2013)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2003)

Optical properties and electronic structure of copper-manganese solid solutions
за авторством: Bondar, V.M., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Model lipid bilayers as sensor bionanomaterials for characterization of membranotropic action of water-soluble substances
за авторством: Vashchenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)

Luminescence properties of Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄ crystals
за авторством: Kostyk, L., та інші
Опубліковано: (2008)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)

Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)

Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)

Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)

Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers
за авторством: A. O. Druzhynin, та інші
Опубліковано: (2021)