GaSb whiskers in sensor electronics
Piezoresistive properties of gallium antimonide whiskers grown from the vapour phase by chemical transport reaction were studied in the temperature range of -150÷+100°C. The possibility to create different piezoresistive mechanical sensors based on these microcrystals was shown. On the basis of n- a...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | Druzhinin, A.A., Maryamova, I.I., Kutrakov, O.P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2016
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120612 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | GaSb whiskers in sensor electronics / A.A. Druzhinin, I.I. Maryamova, O.P. Kutrakov // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 2. — С. 206-211. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014) -
Role of shallow electronic traps formed by oxygen vacancies in formation of luminescent properties of CeO₂₋x nanocrystals
за авторством: Maksimchuk, P.O., та інші
Опубліковано: (2014) -
The solubility region of Ga in PbTe films prepared on Si-substrates by modified "hot wall" technique
за авторством: Samoylov, A.M., та інші
Опубліковано: (2011) -
The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009) -
The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)