Зображення обкладинки

Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces

We studied experimentally the photoelectric characteristics of the AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs structures with relief interfaces. A theoretical analysis of spectral dependences of internal quantum efficiency of short-circuit current in the above solar cells (SC) was performed. In particular, the low-en...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Dmitruk, N.L., Borkovskaya, O.Yu., Kostylyov, V.E., Sachenko, A.V., Sokolovskiy, I.O.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120642
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Experimental study and theoretical analysis of photoelectric characteristics of AlxGa₁₋xAs–p-GaAs–n-GaAs-based photoconverters with relief interfaces / N.L. Dmitruk, O.Yu. Borkovskaya, V.E. Kostylyov, A.V. Sachenko, I.O. Sokolovskiy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 72-78. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Concentration-dimension dependences for the electron energy in AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2015)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Theory of high-field electron transport in the heterostructures AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-x with delta-doped barriers. Effect of real-space transfer
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2015)

Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Залежнiсть енергiї екситонних переходiв у наноплiвках AlxGa1−xAs/GaAs/AlxGa1−xAs вiд товщини, концентрацiї та температури
за авторством: Kondryuk, D. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Вплив нейтронного опромінення на характеристики світлодіодів AlxGa1–xAs
за авторством: Сизов, Ф.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
за авторством: Аркуша, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Excitonic parameters of InxGa1-xAs−GaAs heterostructures with quantum wells at low temperatures
за авторством: N. M. Lytovchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)

Sharp interfaces in p+-AlGaAs/n-GaAs epitaxial structures obtained by MOCVD
за авторством: N. M. Vakiv, та інші
Опубліковано: (2014)

GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)

Electrophysical and photoelectric characteristics of a three-barrier photodiode GaAs structure
за авторством: O. A. Abdulkhaev, та інші
Опубліковано: (2018)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
за авторством: Якунин, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах
за авторством: Litovchenko, N. M., та інші
Опубліковано: (2018)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Characteristics of interface corrugations in short-period GaAs/AlAs superlattices
за авторством: Daweritz, L., та інші
Опубліковано: (1998)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками
за авторством: Vakulenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)