Зображення обкладинки

Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions

The investigation results of a silicon photodiode (PD) operation with a preamplifier under background radiation conditions are presented. The preamplifier output signal and its frequency characteristic dependence on the input resistance and capacitance are considered, the influence of the PD radiant...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2005
Автори: Hodovaniouk, V.M., Doktorovych, I.V., Butenko, V.K., Yuryev, V.H., Dobrovolsky, Yu.G.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120644
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions / V.M. Hodovaniouk, I.V. Doktorovych, V.K. Butenko, V.H. Yuryev, Yu.G. Dobrovolsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 83-86. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси