Зображення обкладинки

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs

Un-cooled AlGaN/GaN-based heterojunction field-effect transistors (HFET) designed on sapphire (0001) substrates were considered as 140 GHz direct detection detectors without any specially attached antennas. The noise equivalent power (NEP) of these detectors was ~ 10⁻¹⁰ W/Hz¹/² in the observed radia...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2015
Автори:	Golenkov, A.G., Zhuravlev, K.S., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Lysiuk, I.O., Sizov, F.F.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120648
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs / A.G. Golenkov, K.S. Zhuravlev, J.V. Gumenjuk-Sichevska, I.O. Lysiuk, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 40-45. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)

Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями
за авторством: Kaliuzhnyi, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)

Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of the sapphire substrate on spectral emission features of LEDs based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Влияние протонного облучения на AlGaN/GaN транзисторы c высокой подвижностью электронов
за авторством: Батаев, М., та інші
Опубліковано: (2011)

Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2014)

Deformation state of short-period AlGaN/GaN superlattices at different well-barrier thickness ratios
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2014)

Current instabilities in resonant tunnelling diodes based on GaN/AlN heterojunctions
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2004)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование электрических и магнитных характеристик высокотемпературных датчиков Холла на основе гетеро-структуры AlGaN/GaN
за авторством: Стемпицкий, В.Р., та інші
Опубліковано: (2017)

Simulated properties of printed antennas on silicon substrates for THz/sub-THz arrays
за авторством: Sakhno, M.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

The composition effect on the bowing parameter in the cubic InGaN, AlGaN and AlInN alloys
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2008)

Фононні та поляронні стани циліндричних дротів ZnO/GaN та GaN/AlN
за авторством: Boichuk, V.I., та інші
Опубліковано: (2022)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: V. V. Korotyeyev, та інші
Опубліковано: (2019)

Interaction of sub-terahertz radiation with low-doped grating-based AlGaN/GaN plasmonic structures. Time-domain spectroscopy measurements and electrodynamic modeling
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах
за авторством: Zinovchuk, A.V., та інші
Опубліковано: (2025)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Simulated properties of printed antennas on silicon substrates for THz/sub-THz arrays
за авторством: M. V. Sakhno, та інші
Опубліковано: (2011)

Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)

Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Резонансно-туннельные диоды на основе нитридов AlN/AlxGa1-xN, GaN/InxGa1-xN
за авторством: Боцула, О.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: V. V. Korotyeyev
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of THz-electromagnetic wave transmission through the GaN films under conditions of cyclotron and optical phonon transit-time resonances
за авторством: Korotyeyev, V.V.
Опубліковано: (2013)

Brief history of THz and IR technologies
за авторством: Sizov, F.F.
Опубліковано: (2019)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)