Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe
This paper presents theoretical research on the basic band parameters and galvanomagnetic phenomena in multicomponent solid solutions Hg₁₋x₋yAxByCzTe, Hg₁₋x₋zCdxZnzTe and Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe, resulting in the empirical formulae for the energy gap and the intrinsic carrier concentration of these materi...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | Ostapov, S.E., Gorbatyuk, I.N., Zhikharevich, V.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120649 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation of the physical properties of multi-component solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe / S.E. Ostapov, I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 30-35. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
за авторством: Gorbatyuk, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Gorbatyuk, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004)
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Электронная структура и ферромагнитное поведение сплавов Mn₁₋xAxAs₁₋yBy
за авторством: Головчан, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Головчан, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Thermoelectric figure of merit of Hg1-xMnxS, Hg1-x-uMnxFeyS and Hg1-xMnxTe1-zSz crystals
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: P. D. Marianchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Photoluminescence excitation spectroscopy in narrow - gap Hg₁₋x₋yCd xMnyTe
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
за авторством: Mazur, Yu. I.
Опубліковано: (1999)
The local charge carrier interaction with lattice defects in ZnCdTe and ZnHgTe solid solutions
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Malyk, O.P.
Опубліковано: (2009)
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Characterization of Hg₁₋xMnxTe single crystals and Hg₁₋xMnxTe -based photodiodes
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (1999)
Atomic defects and physical-chemical properties of PbTe-InTe solid solutions
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2003)
Состояние вакансий pтути в полумагнитном полупpоводнике Hg₁₋ₓ₋yCdₓMnyTe
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Прозоровский, В.Д., та інші
Опубліковано: (1999)
Physical properties and band structure of crystals (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, doped with manganese
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. D. Marjanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
HgCrCdSe as an element of new heterostructure HgCrCdSe/HgMnTe
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Bekirov, B., та інші
Опубліковано: (2012)
Noise in HgCdTe LWIR arrays
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2002)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Propagation of the measurement error and the measured mean of a physical quantity for elementary functions ax and loga x
за авторством: H. H. Rode
Опубліковано: (2019)
за авторством: H. H. Rode
Опубліковано: (2019)
Propagation of the measurement error and the measured mean of a physical quantity for elementary functions ax and loga x
за авторством: G. G. Rode
Опубліковано: (2019)
за авторством: G. G. Rode
Опубліковано: (2019)
Generation X, Y and Z values in Ukraine
за авторством: K. M. Nagorniak
Опубліковано: (2020)
за авторством: K. M. Nagorniak
Опубліковано: (2020)
Polyassociative thermodynamical model of A₂B₆ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 1. Phase equilibria in initial two-component systems. Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2002)
Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Dobretsova, A.A., та інші
Опубліковано: (2019)
Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Z. F. Tsibrij, та інші
Опубліковано: (2017)
Two-dimensional semimetal in HgTe-based quantum wells
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Z. D. Kvon, та інші
Опубліковано: (2011)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)
Employee management features of X, Y and Z generations
за авторством: K. M. Kashchuk
Опубліковано: (2018)
за авторством: K. M. Kashchuk
Опубліковано: (2018)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
The high-pressure effect on superconducting transition parameters of In-doped PbzSn1–zTe semiconducting solid solutions
за авторством: R. V. Parfenev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. V. Parfenev, та інші
Опубліковано: (2015)
Peak-effect in magnetization of superconducting solid solution (PbzSn1–z)0.84In0.16Te
за авторством: Ju. Mikhajlin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ju. Mikhajlin, та інші
Опубліковано: (2019)
Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Unstable mixing regions in II-VI quaternary solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dvoretsky, S.A, та інші
Опубліковано: (2007)
Acoustodynamic transformation of the defect structure in Hg₁₋xCdx Te alloys
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olikh, Y.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
за авторством: Gorbatyuk, I.N., та інші
Опубліковано: (2005) -
Investigation on the bandgap of semiconductor solid solution Hg₁₋x₋y₋zCdxMnyZnzTe
за авторством: Zhikharevich, V.V., та інші
Опубліковано: (2006) -
Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals
за авторством: Ostapov, S.E., та інші
Опубліковано: (2004) -
Some characteristics of semiconductor HgCdMnZnTe solid solution crystals
за авторством: Popenko, N., та інші
Опубліковано: (2006) -
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)