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Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes

Measurements of temperature dependences of excess tunnel current in heavily doped silicon p-n junction diodes at fixed values of the forward bias are carried out in liquid helium temperature region. In some voltage interval, these dependences are described well by the Mott law for variable range hop...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120652
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes / V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 41-44. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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