Зображення обкладинки

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes

Measurements of temperature dependences of excess tunnel current in heavily doped silicon p-n junction diodes at fixed values of the forward bias are carried out in liquid helium temperature region. In some voltage interval, these dependences are described well by the Mott law for variable range hop...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2005
Автори:	Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120652
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes / V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 41-44. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: Aleinikov, A.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

Analysis of organizational-economic mechanism of hop growing in Ukraine
за авторством: D. A. Sainskyi
Опубліковано: (2014)

Peculiarities of diffusion thermopower with impurity electron topological transition in heavily doped bismuth wires
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2014)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Infrared spectroscopy and electroreflectance in the region of fundamental optical transition E₀ of heavily doped n-GaAs (100)
за авторством: Gentsar, P.O., та інші
Опубліковано: (2009)

Non-linear effects in hopping conduction of single-crystal La₂CuO₄₊δ
за авторством: Belevtsev, B.I., та інші
Опубліковано: (1998)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2015)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

The field dependence of the hopping transport in bond-disordered systems
за авторством: Fateev, M.P.
Опубліковано: (2012)