Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
It has been shown from the Poisson equation that the presence of deep levels in the semiconductor bandgap influences in a complicated manner upon distribution of the space charge, potential and electrical fields in the Schottky diode. Under high reverse bias, however, the diode characteristics becom...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120653 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode / L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 45-50. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure
за авторством: Grushko, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Grushko, E.V., та інші
Опубліковано: (2007)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Dovbnya, N.A., та інші
Опубліковано: (2002)
High-efficiency cadmium telluride detectors of X- and γ-radiation
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: O. L. Maslyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2015)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. M. Levytskyi
Опубліковано: (2020)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Melezhik, Ye.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. O. Melezhik, та інші
Опубліковано: (2014)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2012)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2011)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
за авторством: I. N. Yakovkin
Опубліковано: (2021)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: A. V. Rybka, та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined schottky diode
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кісельов, Єгор Миколайович
Опубліковано: (2015)
Simulation of combined Schottky diode
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ye. M. Kiselov
Опубліковано: (2013)
Structural changes in molten CdTe
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shcherbak, L., та інші
Опубліковано: (2000)
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zh. Akhmadaliev, та інші
Опубліковано: (2010)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ахмадалиев, Б.Ж., та інші
Опубліковано: (2010)
Thermoelectric Coolers for X-Ray Detectors
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: L. I. Anatychuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: T. T. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2021)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Katrunov, K., та інші
Опубліковано: (2008)
Effect of technology parameters on the quality of nZnSe(X)/Ni Schottky diodes
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Katrunov, K.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Разработка дозиметрических и спектрометрических блоков регистрации γ-излучения на основе полупроводниковых соединений CdTe (CdZnTe) для АЭС Украины
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Кутний, В.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Radiation-resistant photostructure for Schottky diode based on Cr/In2Hg3Te6
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Ashcheulov, та інші
Опубліковано: (2016)
Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. S. Khrypunov, та інші
Опубліковано: (2011)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2012)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2018)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2012)
Contact electrodeposition of CdTe thin films
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Klochko, N.P., та інші
Опубліковано: (2009)
Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Khrypunov, G.S., та інші
Опубліковано: (2011)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)