Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode
It has been shown from the Poisson equation that the presence of deep levels in the semiconductor bandgap influences in a complicated manner upon distribution of the space charge, potential and electrical fields in the Schottky diode. Under high reverse bias, however, the diode characteristics becom...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120653 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Active region of CdTe X-/γ-ray detector with Schottky diode / L.A. Kosyachenko, O.L. Maslyanchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 45-50. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Thin Film Detector CdTe Structures with Schottky Barrier
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Spectral distribution of photoelectric quantum yield of thin-film Au-CdTe diode structure
von: Grushko, E.V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Grushko, E.V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Application of CdTe (CdZnTe) detectors for radioactive waste characterization
von: Dovbnya, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Dovbnya, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2002)
High-efficiency cadmium telluride detectors of X- and γ-radiation
von: O. L. Maslyanchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: O. L. Maslyanchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2015)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Detectors based on Cd(Zn)Te semiconductors for x-ray and gamma radiation registration
von: S. M. Levytskyi
Veröffentlicht: (2020)
von: S. M. Levytskyi
Veröffentlicht: (2020)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: E. O. Melezhik, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Energy band gap and electrical conductivity of Cd₁₋xMnxTe alloys with different manganese content
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Investigation of the intermediate layers of a diode with a Schottky barrier Al-pCdTe-Mo
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2021)
von: Kondrik, A.I.
Veröffentlicht: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
von: A. V. Rybka, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: A. V. Rybka, et al.
Veröffentlicht: (2006)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: A. I. Kondrik, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Venger, E.F., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Structural changes in molten CdTe
von: Shcherbak, L., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Shcherbak, L., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Simulation of combined Schottky diode
von: Ye. M. Kiselov
Veröffentlicht: (2013)
von: Ye. M. Kiselov
Veröffentlicht: (2013)
Simulation of combined schottky diode
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
Simulation of combined schottky diode
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
von: Кісельов, Єгор Миколайович
Veröffentlicht: (2015)
Low-temperature photoluminescence of thin CdTe, CdTe:In films with an anomalous photovoltaic property
von: Zh. Akhmadaliev, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Zh. Akhmadaliev, et al.
Veröffentlicht: (2010)
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Thermoelectric Coolers for X-Ray Detectors
von: L. I. Anatychuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: L. I. Anatychuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Si as dopant impurity in CdTe
von: Fochuk, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Fochuk, P.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electrical and photoelectric properties of MoN/p-CdTe and MoN/n-CdTe heterojunctions
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: T. T. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
von: G. P. Parkhomenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: G. P. Parkhomenko, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)
Schottky structures nZnSe(O,Te)/Ni as candidates for selective ultraviolet detectors
von: Katrunov, K., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Katrunov, K., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer
von: G. S. Khrypunov, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: G. S. Khrypunov, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Thin films CdS/CdTe solar cells with different activation processes base layer
von: Khrypunov, G.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Khrypunov, G.S., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: V. V. Tetyorkin, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Relaxation factors of acoustic conductivity in CdTe
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Ya. M. Olikh, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Contact electrodeposition of CdTe thin films
von: Klochko, N.P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Klochko, N.P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Photoluminescence studies of CdTe polycrystalline films
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Tetyorkin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)