The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system
 (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown
 that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and
 form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2003
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The effect of isovalent substitutions
 and dopants of 3d-metals on the
 properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862679308941656064 |
|---|---|
| author | V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| author_facet | V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| citation_txt | The effect of isovalent substitutions
 and dopants of 3d-metals on the
 properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system
(Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown
that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and
form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance
of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature
coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of
manganese content of PTCR materials have been investigated.
Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст
вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір
границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору
зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію
в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють
стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки
мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:42:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120701 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T15:42:38Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. 2017-06-12T17:31:07Z 2017-06-12T17:31:07Z 2003 The effect of isovalent substitutions
 and dopants of 3d-metals on the
 properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1607-324X PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy DOI:10.5488/CMP.6.2.213 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system
 (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown
 that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and
 form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance
 of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature
 coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of
 manganese content of PTCR materials have been investigated. Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст
 вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір
 границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору
 зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію
 в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють
 стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки
 мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників Article published earlier |
| spellingShingle | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| title | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_alt | Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників |
| title_full | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_fullStr | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_full_unstemmed | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_short | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_sort | effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 |
| work_keys_str_mv | AT vyunovoi theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT kovalenkoll theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT belousag theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT vyunovoi vplivízovalentnihzamíŝenʹídomíšok3dmetalívnavlastivostísegnetoelektrikívnapívprovídnikív AT kovalenkoll vplivízovalentnihzamíŝenʹídomíšok3dmetalívnavlastivostísegnetoelektrikívnapívprovídnikív AT belousag vplivízovalentnihzamíŝenʹídomíšok3dmetalívnavlastivostísegnetoelektrikívnapívprovídnikív AT vyunovoi effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT kovalenkoll effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT belousag effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors |