The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2003
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120701 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. 2017-06-12T17:31:07Z 2017-06-12T17:31:07Z 2003 The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1607-324X PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy DOI:10.5488/CMP.6.2.213 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of manganese content of PTCR materials have been investigated. Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| spellingShingle |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| title_short |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_full |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_fullStr |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_full_unstemmed |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_sort |
effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| author |
V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| author_facet |
V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| publishDate |
2003 |
| language |
English |
| container_title |
Condensed Matter Physics |
| publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив ізовалентних заміщень і домішок 3d-металів на властивості сегнетоелектриків-напівпровідників |
| description |
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system
(Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown
that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and
form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance
of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature
coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of
manganese content of PTCR materials have been investigated.
Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст
вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір
границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору
зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію
в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють
стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки
мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів.
|
| issn |
1607-324X |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120701 |
| citation_txt |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT vyunovoi theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT kovalenkoll theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT belousag theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT vyunovoi vplivízovalentnihzamíŝenʹídomíšok3dmetalívnavlastivostísegnetoelektrikívnapívprovídnikív AT kovalenkoll vplivízovalentnihzamíŝenʹídomíšok3dmetalívnavlastivostísegnetoelektrikívnapívprovídnikív AT belousag vplivízovalentnihzamíŝenʹídomíšok3dmetalívnavlastivostísegnetoelektrikívnapívprovídnikív AT vyunovoi effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT kovalenkoll effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT belousag effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors |
| first_indexed |
2025-12-07T15:42:38Z |
| last_indexed |
2025-12-07T15:42:38Z |
| _version_ |
1850864732450324480 |