Manifestation of deformation effect in band spectra in crystals with inhomogeneous bonding

The effect of the shear strains on the energy spectrum of the strongly
 anisotropic SbSI crystal has been investigated by group-theoretical method
 in combination with the Pikus method of invariants. The first-principles local
 density approximation has been implemented to de...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Condensed Matter Physics
Дата:2003
Автори: Bercha, D.M., Rushchanskii, K.Z., Slipukhina, I.V., Bercha, I.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2003
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120704
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Manifestation of deformation effect in
 band spectra in crystals with
 inhomogeneous bonding / D.M. Bercha, K.Z. Rushchanskii, I.V. Slipukhina, I.V. Bercha // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 229-236. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:The effect of the shear strains on the energy spectrum of the strongly
 anisotropic SbSI crystal has been investigated by group-theoretical method
 in combination with the Pikus method of invariants. The first-principles local
 density approximation has been implemented to determine the band structure
 of the crystal. Ab initio calculations of the band structure have shown
 an exact localization of twofold degenerate maximum of the valence band
 in the T point. It turned out that the shear strains result in the band topology
 changes in the vicinity of the T point and the k -linear term appears in the
 corresponding dispersion law. Теоретико-груповим методом в поєднанні з методом інваріантів
 Пікуса досліджено вплив зсувових деформацій на енергетичний
 спектр сильно анізотропного кристала SbSI. Для визначення зонної
 структури кристала було застосовано розрахунки з перших принципів з використанням локального наближення. Дослідження зон-
 ної структури вказали на точну локалізацію двократно виродженого
 максимума валентної зони в точці Т. Виявилося, що зсувові деформації приводять до зміни топології зон в околі точки Т, а у відповідному законі дисперсії з’являється k -лінійний член.
ISSN:1607-324X