Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆

• Published in: Condensed Matter Physics
• Date: 2003
• Main Authors: Maior, M.M., Molnar, Sh.B., Vrabel, V.T., Gurzan, M.I., Motrja, S.F., Vysochanskii, Yu.M.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2003
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120718
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆ / M.M. Maior, Sh.B. Molnar, V.T. Vrabel, M.I. Gurzan, S.F. Motrja, Yu.M. Vysochanskii // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 293-299. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

The temperature-frequency studies of dielectric susceptibility in Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆ and crystals at low temperatures are reported. The freezing relaxation dynamics has been observed in a temperature-frequency dependence of the dielectric properties in the crystals which are in a polydomain ferroelectric state as well as in the crystals (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4 which at low temperatures are in the incommensurate phase. The nature of the effect and its interrelation with dynamics of ferroelectric domain walls and incommensurate structure is discussed. В роботі приводяться температурно-частотні дослідження діелектричної проникливості при низьких температурах в кристалах в Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆. Спостерігалося заморожування релаксаційної динаміки на температурно-частотних залежностях діелектричних властивостей, як в кристалах які при низьких температурах знаходяться в сегнетоелектричному полідоменному стані, так і в кристалах (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4, які при низьких температурах знаходяться в неспівмірній фазі. Обговорюється природа ефекту у взаємозв’язку з сегнетоелектричними доменами і неспівмірною структурою.