Стиль цитування APA (7-ме видання)

Vasin, A., Ishikawa, Y., Rusavsky, A., Nazarov, A., Konchitz, A., & Lysenko, V. (2015). Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si₁₋xCx: H films. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Vasin, A.V, Y. Ishikawa, A.V Rusavsky, A.N Nazarov, A.A Konchitz, та V.S Lysenko. Photoluminescent Properties of Oxidized Stochiometric and Carbon-rich Amorphous Si₁₋xCx: H Films. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Vasin, A.V, et al. Photoluminescent Properties of Oxidized Stochiometric and Carbon-rich Amorphous Si₁₋xCx: H Films. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.