Red’ko, S. (2015). Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN: Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Red’ko, S.M. Influence of Treatment in Weak Magnetic Fields on Photoluminescence of GaN: Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Red’ko, S.M. Influence of Treatment in Weak Magnetic Fields on Photoluminescence of GaN: Si. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.