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Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si

The long-term transformations of photoluminescence of GaN:Si treated with pulsed weak magnetic fields have been studied. The defect structure transformations have been inferred from the radiative recombination spectra within the range 350…650 nm at 300 K. A possible mechanism of observed modificatio...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2015
1. Verfasser:	Red’ko, S.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120722
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si / S.M. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 71-73. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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