Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
The long-term transformations of photoluminescence of GaN:Si treated with pulsed weak magnetic fields have been studied. The defect structure transformations have been inferred from the radiative recombination spectra within the range 350…650 nm at 300 K. A possible mechanism of observed modificatio...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120722 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si / S.M. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 71-73. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Red'ko, S.M.
Опубліковано: (2014)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. I. Syngaivska, та інші
Опубліковано: (2018)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Ultra-high field transport in GaN-based heterostructures
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Vitusevich, S.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Syngayivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Elecron transport in crossed electric and magnetic fields under the condition of the electron streaming in GaN
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. I. Syngayivska, та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2013)
Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of electric and magnetic characteristics of high-temperature hall sensor based on AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. R. Stempitskij, та інші
Опубліковано: (2017)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Investigation of traps in AlGaN/GaN heterostructures by ultrasonic vibrations
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: V. V. Kaliuzhnyi, та інші
Опубліковано: (2021)
Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Indutnyy, I.Z., та інші
Опубліковано: (2006)
Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Indutnyi, I.Z., та інші
Опубліковано: (2009)
Sub-THz nonresonant detection in AlGaN/GaN heterojunction FETs
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. G. Golenkov, та інші
Опубліковано: (2015)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ye. Bieliaiev, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical properties of irradiated epitaxial GaN films
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of microwave radiation treatment on photoluminescent properties of II-VI compounds (Review)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
Impact of proton irradiation on AlGaN/GaN transistors with high electron mobility
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: M. Bataev, та інші
Опубліковано: (2011)
Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Calculation of electron mobility and effect of dislocation scattering in GaN
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Kundu, J., та інші
Опубліковано: (2007)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Naumov, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT heterostructures: Electrical and optical characterization
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Naumov, та інші
Опубліковано: (2015)
Electro-optic effect in GaN/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N single quantum wells for optical switch
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Elkadadra, A., та інші
Опубліковано: (2010)
Significance of DX-centers for acoustic induced reconstruction processes of defects in GaN/AlGaN
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ya. M. Olikh, та інші
Опубліковано: (2021)