Стиль цитування APA (7-ме видання)

Gaidar, G. (2015). Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Gaidar, G.P. "Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings." Semiconductor Physics Quantum Electronics &amp; Optoelectronics 2015.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Gaidar, G.P. "Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings." Semiconductor Physics Quantum Electronics &amp; Optoelectronics, 2015.

Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.