Gaidar, G. (2015). Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Gaidar, G.P. Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Gaidar, G.P. Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.