APA (7th ed.) Citation

Gaidar, G. (2015). Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Gaidar, G.P. Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.

MLA (8th ed.) Citation

Gaidar, G.P. Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.