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Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings

Features of changes in the electrophysical parameters (concentrations of charge carriers ne and their mobilities μ ) in heavily doped n-Ge <As> single crystals, which occur as a result of the series of thermoannealings (each for 0.5 h) over a wide temperature range (540 ≤T≤ 900 °C), have b...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2015
1. Verfasser:	Gaidar, G.P.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120727
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 53-56. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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