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Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers

Effects of the presence of isolated disordered layers on the exciton scattering by compositional fluctuations in double semiconductor quantum wells have been studied. In the structures containing both ordered and disordered layers, the probability of the scattering depends on the degree of the excit...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2015
ISSN:	1560-8034
1. Verfasser:	Vertsimakha, G.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120738
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers / G.V. Vertsimakha // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 110-114. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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