Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption
Unbinding of surface topological defects in the presence of the defectselective
 adsorption is investigated using a coupled Coulomb Gas – Lattice
 Gas model. The unbinding temperature increases with the increasing
 selectivity (and coverage) for both, sign-dependent and sign-...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2003 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2003
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120742 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Unbinding of surface defects under the
 defect-selective adsorption / E.V. Vakarin // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 3(35). — С. 541-549. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728697965969408 |
|---|---|
| author | Vakarin, E.V. |
| author_facet | Vakarin, E.V. |
| citation_txt | Unbinding of surface defects under the
 defect-selective adsorption / E.V. Vakarin // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 3(35). — С. 541-549. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | Unbinding of surface topological defects in the presence of the defectselective
adsorption is investigated using a coupled Coulomb Gas – Lattice
Gas model. The unbinding temperature increases with the increasing
selectivity (and coverage) for both, sign-dependent and sign-independent
adsorption. In the latter case, the adsorbates tend to increase the number
density of defects. The stability requirement implies that the adsorbate
cluster size must be coherent with the screening length of free defects
Досліджується вивільнення поверхневих дефектів при дефектно-селективній адсорбції, використовуючи комбінацію моделей ґраткового газу і кулонівського газу. Температура вивільнення зростає з ростом селективності як для знако-залежної, так і для знако-незалежної
адсорбції. В останньому випадку адсорбат збільшує густину дефектів. Вимога стабільності вказує на те, що розмір кластера в адсорбаті має бути співмірним з довжиною екранування вільних дефектів.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:10:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120742 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T19:10:29Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Vakarin, E.V. 2017-06-12T18:29:45Z 2017-06-12T18:29:45Z 2003 Unbinding of surface defects under the
 defect-selective adsorption / E.V. Vakarin // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 3(35). — С. 541-549. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. 1607-324X PACS: 68.45.-v DOI:10.5488/CMP.6.3.541 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120742 Unbinding of surface topological defects in the presence of the defectselective
 adsorption is investigated using a coupled Coulomb Gas – Lattice
 Gas model. The unbinding temperature increases with the increasing
 selectivity (and coverage) for both, sign-dependent and sign-independent
 adsorption. In the latter case, the adsorbates tend to increase the number
 density of defects. The stability requirement implies that the adsorbate
 cluster size must be coherent with the screening length of free defects Досліджується вивільнення поверхневих дефектів при дефектно-селективній адсорбції, використовуючи комбінацію моделей ґраткового газу і кулонівського газу. Температура вивільнення зростає з ростом селективності як для знако-залежної, так і для знако-незалежної
 адсорбції. В останньому випадку адсорбат збільшує густину дефектів. Вимога стабільності вказує на те, що розмір кластера в адсорбаті має бути співмірним з довжиною екранування вільних дефектів. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption Вивільнення поверхневих дефектів при дефектно-селективній адсорбції Article published earlier |
| spellingShingle | Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption Vakarin, E.V. |
| title | Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption |
| title_alt | Вивільнення поверхневих дефектів при дефектно-селективній адсорбції |
| title_full | Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption |
| title_fullStr | Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption |
| title_full_unstemmed | Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption |
| title_short | Unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption |
| title_sort | unbinding of surface defects under the defect-selective adsorption |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120742 |
| work_keys_str_mv | AT vakarinev unbindingofsurfacedefectsunderthedefectselectiveadsorption AT vakarinev vivílʹnennâpoverhnevihdefektívpridefektnoselektivníiadsorbcíí |