Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми

Исследовано идеальное поведение туннельных характеристик контактов металл—изолятор— металл, у которых фермиевские энергии электродов не превышают 1,5–2,0 эВ. Показано, что в этом случае, вопреки общепринятым положениям электронной туннельной спектроскопии, зонная структура электродов оказывает су...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2005
Автор: Хачатуров, А.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2005
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120775
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми / А.И. Хачатуров // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 1. — С. 109-114. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120775
record_format dspace
spelling Хачатуров, А.И.
2017-06-12T19:34:11Z
2017-06-12T19:34:11Z
2005
Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми / А.И. Хачатуров // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 1. — С. 109-114. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.40.Gk, 73.40.Rw
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120775
Исследовано идеальное поведение туннельных характеристик контактов металл—изолятор— металл, у которых фермиевские энергии электродов не превышают 1,5–2,0 эВ. Показано, что в этом случае, вопреки общепринятым положениям электронной туннельной спектроскопии, зонная структура электродов оказывает существенное влияние на туннельные характеристики. Так, зависимость дифференциальной туннельной проводимости σ(V), рассчитанная для симметричного прямоугольного барьера, асимметрична. Кроме того, при напряжении смещения eV, равном разнице фермиевских энергий электродов, наблюдается скачок проводимости, не чувствительный к температурному размытию. Показано, что соответствующая скачку особенность во второй производной тока по напряжению может проявляться даже в случае традиционных металлических электродов с энергиями Ферми порядка нескольких электрон-вольт.
Досліджено ідеальне поводження тунельних характеристик контактів метал—ізолятор—метал, у яких ферміївські енергії електродів не перевищують 1,5–2,0 еВ. Показано, що в цьому випадку, всупереч загальноприйнятим положенням електронної тунельної спектроскопії, зонна структура електродів має суттєвий вплив на тунельні характеристики. Так, залежність диференц ійної тунельної провідності σ(V), яка розрахована для симетричного прямокутного бар‘єру, асиметрична. Крім того, при напрузі зміщення eV, що дорівнює різниці ферміївських енергій електродів, спостерігається стрибок провідності, не чутливий до температурного размиття. Показано, що відповідна стрибку особливість у другій похідній струму по напрузі може виявлятися навіть у випадку традиційних металевих електродів з енергіями Фермі порядка декілька електрон-вольт.
The ideal behavior of tunnel characteristics of metal—insulator—metal junctions in which the electrode Fermi energies are less than 1.5–2.0 eV has been studied. It is shown that in this case the electrode band structure can radically alter the shape of the tunnel characteristics, contrary some generally accepted propositions of the electron tunnel spectroscopy. For example, the dependence of differential conductance on bias voltage calculated for a symmetrical rectangular barrier is asymmetrical. Moreover, there occurs a conductance jump when bias voltage eV is equal to the difference of the electrode Fermi energies. A distinctive property of the jump is its insensibility to the temperature smearing. The correspondent singularity in the second derivative of tunnel current with respective to the bias voltage is shown be remarkable even in the case where the Fermi energies of metal electrodes are about several electron-volts.
Автор благодарит М.А. Белоголовского, Ю.В. Медведева и В.М. Свистунова за полезные замечания и обсуждения результатов работы.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Электpонные свойства металлов и сплавов
Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
Manifestation of the band structure in tunnel characteristics of materials with low Fermi energies
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
spellingShingle Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
Хачатуров, А.И.
Электpонные свойства металлов и сплавов
title_short Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
title_full Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
title_fullStr Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
title_full_unstemmed Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми
title_sort проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями ферми
author Хачатуров, А.И.
author_facet Хачатуров, А.И.
topic Электpонные свойства металлов и сплавов
topic_facet Электpонные свойства металлов и сплавов
publishDate 2005
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Manifestation of the band structure in tunnel characteristics of materials with low Fermi energies
description Исследовано идеальное поведение туннельных характеристик контактов металл—изолятор— металл, у которых фермиевские энергии электродов не превышают 1,5–2,0 эВ. Показано, что в этом случае, вопреки общепринятым положениям электронной туннельной спектроскопии, зонная структура электродов оказывает существенное влияние на туннельные характеристики. Так, зависимость дифференциальной туннельной проводимости σ(V), рассчитанная для симметричного прямоугольного барьера, асимметрична. Кроме того, при напряжении смещения eV, равном разнице фермиевских энергий электродов, наблюдается скачок проводимости, не чувствительный к температурному размытию. Показано, что соответствующая скачку особенность во второй производной тока по напряжению может проявляться даже в случае традиционных металлических электродов с энергиями Ферми порядка нескольких электрон-вольт. Досліджено ідеальне поводження тунельних характеристик контактів метал—ізолятор—метал, у яких ферміївські енергії електродів не перевищують 1,5–2,0 еВ. Показано, що в цьому випадку, всупереч загальноприйнятим положенням електронної тунельної спектроскопії, зонна структура електродів має суттєвий вплив на тунельні характеристики. Так, залежність диференц ійної тунельної провідності σ(V), яка розрахована для симетричного прямокутного бар‘єру, асиметрична. Крім того, при напрузі зміщення eV, що дорівнює різниці ферміївських енергій електродів, спостерігається стрибок провідності, не чутливий до температурного размиття. Показано, що відповідна стрибку особливість у другій похідній струму по напрузі може виявлятися навіть у випадку традиційних металевих електродів з енергіями Фермі порядка декілька електрон-вольт. The ideal behavior of tunnel characteristics of metal—insulator—metal junctions in which the electrode Fermi energies are less than 1.5–2.0 eV has been studied. It is shown that in this case the electrode band structure can radically alter the shape of the tunnel characteristics, contrary some generally accepted propositions of the electron tunnel spectroscopy. For example, the dependence of differential conductance on bias voltage calculated for a symmetrical rectangular barrier is asymmetrical. Moreover, there occurs a conductance jump when bias voltage eV is equal to the difference of the electrode Fermi energies. A distinctive property of the jump is its insensibility to the temperature smearing. The correspondent singularity in the second derivative of tunnel current with respective to the bias voltage is shown be remarkable even in the case where the Fermi energies of metal electrodes are about several electron-volts.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120775
citation_txt Проявление зонной структуры в туннельных характеристиках материалов с малыми энергиями Ферми / А.И. Хачатуров // Физика низких температур. — 2005. — Т. 31, № 1. — С. 109-114. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT hačaturovai proâvleniezonnoistrukturyvtunnelʹnyhharakteristikahmaterialovsmalymiénergiâmifermi
AT hačaturovai manifestationofthebandstructureintunnelcharacteristicsofmaterialswithlowfermienergies
first_indexed 2025-12-07T17:58:30Z
last_indexed 2025-12-07T17:58:30Z
_version_ 1850873280158760960