Исследование подвижности малых кластеров меди на буферном слое Xe при температурах 30–70 К
Методом компьютерного моделирования исследован процесс миграции малых кластеров
 меди по поверхности (111) твердого ксенона. Получены коэффициенты диффузии стабильных
 кластеров для температур 30–70 К. Установлено, что кластеры меди из четырех, шести и семи
 атомов за время м...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120781 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование подвижности малых кластеров меди на
 буферном слое Xe при температурах 30–70 К / И.Г. Марченко, И.М. Неклюдов // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 10. — С. 1262–1266. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Методом компьютерного моделирования исследован процесс миграции малых кластеров
меди по поверхности (111) твердого ксенона. Получены коэффициенты диффузии стабильных
кластеров для температур 30–70 К. Установлено, что кластеры меди из четырех, шести и семи
атомов за время менее 3 нс внедряются в подложку, вытесняя атом Xe. Полученные данные позволяют по-новому интерпретировать результаты проведенных ранее экспериментов.
Методом комп’ютерного моделювання досліджено процес міграції малих кластерів міді по
поверхні (111) твердого ксенону. Отримано коефіцієнти дифузії стабільних кластерів для температур 30–70 К. Встановлено, що кластери міді із чотирьох, шести й семи атомів за час менш
3 нс впроваджуються в підкладку, витісняючи атом Xe. Отримані дані дозволяють по-новому
інтерпретувати результати проведених раніше експериментів.
The process of small copper cluster migration
on the solid xenon surface (111) is investigated
by computer simulation. The coefficients of stable
cluster diffusion are determined for temperatures
from 30 to 70 K. It has been established
that during the time less than 3 ns the copper
clusters of 4, 6 and 7 atoms penetrate into the
substrate and substitute the Xe atom. The data
obtained enable a new interpretation of previous
results.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |