Зображення обкладинки

Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption

The effect of quantum dot shape on the hole energy spectrum and optical properties caused by the interlevel charge transition based on the 4x4 Hamiltonian has been studied for the GaAs quantum dot in the AlAs semiconductor matrix. Calculations have been carried out in perturbation theory taking into...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Condensed Matter Physics
Дата:2013
Автори: Boichuk, V.I., Bilynskyi, I.V., Sokolnyk, O.A., Shakleina, I.O.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2013
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120837
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Effect of quantum dot shape of the GaAs/AlAs heterostructure on interlevel hole light absorption / V.I. Boichuk, I.V. Bilynskyi, O.A. Sokolnyk, I.O. Shakleina // Condensed Matter Physics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 33702:1-10. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси