Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy

This paper reports the application of scanning electron microscopy, x-ray diffraction, and photoluminescence techniques for characterization of ZnSe nanocrystals grown on GaAs (100) substrate from the vapor phase. The applied characterization techniques show the evidence for coexistence of two se...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2006
Hauptverfasser: Tishchenko, V.V., Kovalenko, A.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120867
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Characterization of ZnSe nanocrystals grown by vapor phase epitaxy / V.V. Tishchenko, A.V. Kovalenko // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 12. — С. 1545–1550. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine