Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ с заданной топологией плоских дефектов

Исследована проводимость в базисной плоскости монокристаллов Y–Вa–Cu–O и Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ с системой однонаправленных двойниковых границ. Показано, что частичная замена Y на Pr приводит к образованию двух сверхпроводящих фаз с различными критическими температурами. Примеси Pr являются эффективным...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2006
Hauptverfasser: Оболенский, М.А., Вовк, Р.В., Бондаренко, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120871
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Эволюция псевдощелевого состояния в слабодопированных празеодимом монокристаллах Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ с заданной топологией плоских дефектов / М.А. Оболенский, Р.В. Вовк, А.В. Бондаренко // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 12. — С. 1488–1492. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Исследована проводимость в базисной плоскости монокристаллов Y–Вa–Cu–O и Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ с системой однонаправленных двойниковых границ. Показано, что частичная замена Y на Pr приводит к образованию двух сверхпроводящих фаз с различными критическими температурами. Примеси Pr являются эффективными центрами рассеяния нормальных и флуктуационных носителей. При этом слабое (до z ≈ 0,05) допирование празеодимом монокристаллов Y–Ba–Cu–O способствует значительному сужению температурного интервала реализации псевдощелевого состояния в ab-плоскости. Досліджено провідність в базісній площині монокристалів Y–Ba–Cu–O та Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ з системою односпрямованих двійникових меж. Показано, що часткова заміна Y на Pr викликає утворення двох надпровідних фаз з різними критичними температурами. Домішки Pr є ефективними центрами розсіювання нормальних і флуктуаційних носіїв. При цьому незначне (до z ≈ 0,05) допування празеодимом монокристалів Y–Ba–Cu–O сприяє значному звуженню температурного інтервалу реалізації псевдощілинного стану в ab-площині. Conductivity is studied in the basal plane of Y–Âa–Cu–O and Y₁₋zPrzBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals with a system of unidirectional twin boundaries. It is shown that a partial replacement of Y with Pr gives rise to two superconducting phases with different critical temperatures. The Pr impurities are efficient centers of scattering for normal and fluctuation carriers. A weak Pr doping (up to z ≈ 0.05) of Y–Ba–Cu–O single crystals involves a considerable decrease in the temperature range of realization of the pseudo-gap state in the ab-plane.
ISSN:0132-6414