Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автори: Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120910
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 849–854. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного
 микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния
 широких и тонких оловянных пленок Ipm(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные
 зависимости тока Ipm(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для
 равновесного случая теории Асламазова Лемпицкого, в которой критическая температура Тс заменена
 стимулированной критической температурой TcP, причем это справедливо для всей температурной
 области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения
 абсолютная величина Ipm(T) растет, а температурная область стимуляции Ipm(T) расширяется в направлении более низких температур. Експериментально досліджено та проаналізовано температурні залежності стимульованого
 мікрохвильовим полем максимального струму існування вихорового резистивного стану широких і
 тонких олов яних плівок Ipm(T) . Показано, що експериментально одержані температурні залежності
 струму Ipm(T) добре апроксимуються формулами, аналогічними формулі для рівноважного випадку
 теорії Асламазова Лемпицького, де критичну температуру Тс замінено стимульованою критичною
 температурою TcP, до речі це справедливо для вciєї температурної області існування режиму широкої
 плівки. Виявлено, що зі збільшенням частоти опромінення абсолютна величина Ipm(T) зростає, а температурна
 область стимуляції Ipm(T) розширюється в напрямку більш низьких температур. The temperature dependences of the microwave
 field-enhanced highest current Ipm(T) at which the
 resistive vortex state exists in wide and thin tin
 films have been investigated experimentally and
 analyzed. It is shown that the experimental temperature
 dependences of the current Ipm(T). are fairly
 well approximated by formulas similar to those describing
 the equilibrium case in the Aslamazov–
 Lempitskiy theory in which the critical temperature
 Tc is replaced by the enhanced critical
 temperature TcP, which is valid for the whole temperature
 region of the existence of the wide film regime.
 It has been found that the magnitude of
 Ipm(T). increases with the irradiation frequency,
 while the temperature region of Ipm(T) enhancement
 extends towards lower temperatures.