Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова
Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния широких и тонких оловянных пленок Ipm(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные зависимости тока Ipm(T...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120910 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 849–854. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120910 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В. 2017-06-13T10:18:26Z 2017-06-13T10:18:26Z 2007 Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 849–854. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.40.+k, 74.25.Nf https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120910 Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния широких и тонких оловянных пленок Ipm(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные зависимости тока Ipm(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для равновесного случая теории Асламазова Лемпицкого, в которой критическая температура Тс заменена стимулированной критической температурой TcP, причем это справедливо для всей температурной области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения абсолютная величина Ipm(T) растет, а температурная область стимуляции Ipm(T) расширяется в направлении более низких температур. Експериментально досліджено та проаналізовано температурні залежності стимульованого мікрохвильовим полем максимального струму існування вихорового резистивного стану широких і тонких олов яних плівок Ipm(T) . Показано, що експериментально одержані температурні залежності струму Ipm(T) добре апроксимуються формулами, аналогічними формулі для рівноважного випадку теорії Асламазова Лемпицького, де критичну температуру Тс замінено стимульованою критичною температурою TcP, до речі це справедливо для вciєї температурної області існування режиму широкої плівки. Виявлено, що зі збільшенням частоти опромінення абсолютна величина Ipm(T) зростає, а температурна область стимуляції Ipm(T) розширюється в напрямку більш низьких температур. The temperature dependences of the microwave field-enhanced highest current Ipm(T) at which the resistive vortex state exists in wide and thin tin films have been investigated experimentally and analyzed. It is shown that the experimental temperature dependences of the current Ipm(T). are fairly well approximated by formulas similar to those describing the equilibrium case in the Aslamazov– Lempitskiy theory in which the critical temperature Tc is replaced by the enhanced critical temperature TcP, which is valid for the whole temperature region of the existence of the wide film regime. It has been found that the magnitude of Ipm(T). increases with the irradiation frequency, while the temperature region of Ipm(T) enhancement extends towards lower temperatures. Авторы выражают благодарность Т.В. Саленковой за изготовление образцов, Е.В. Безуглому и Е.В. Христенко за полезные обсуждения материалов работы. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова Microwave radiation effect on current inducing phase-slip processes in wide tin films Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова |
| spellingShingle |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title_short |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова |
| title_full |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова |
| title_fullStr |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова |
| title_full_unstemmed |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова |
| title_sort |
влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова |
| author |
Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В. |
| author_facet |
Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В. |
| topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Microwave radiation effect on current inducing phase-slip processes in wide tin films |
| description |
Экспериментально исследованы и проанализированы температурные зависимости стимулированного
микроволновым полем максимального тока существования вихревого резистивного состояния
широких и тонких оловянных пленок Ipm(T). Показано, что экспериментальнo полученные температурные
зависимости тока Ipm(T) хорошо аппроксимируются формулами, аналогичными формуле для
равновесного случая теории Асламазова Лемпицкого, в которой критическая температура Тс заменена
стимулированной критической температурой TcP, причем это справедливо для всей температурной
области существования режима широкой пленки. Обнаружено, что с увеличением частоты облучения
абсолютная величина Ipm(T) растет, а температурная область стимуляции Ipm(T) расширяется в направлении более низких температур.
Експериментально досліджено та проаналізовано температурні залежності стимульованого
мікрохвильовим полем максимального струму існування вихорового резистивного стану широких і
тонких олов яних плівок Ipm(T) . Показано, що експериментально одержані температурні залежності
струму Ipm(T) добре апроксимуються формулами, аналогічними формулі для рівноважного випадку
теорії Асламазова Лемпицького, де критичну температуру Тс замінено стимульованою критичною
температурою TcP, до речі це справедливо для вciєї температурної області існування режиму широкої
плівки. Виявлено, що зі збільшенням частоти опромінення абсолютна величина Ipm(T) зростає, а температурна
область стимуляції Ipm(T) розширюється в напрямку більш низьких температур.
The temperature dependences of the microwave
field-enhanced highest current Ipm(T) at which the
resistive vortex state exists in wide and thin tin
films have been investigated experimentally and
analyzed. It is shown that the experimental temperature
dependences of the current Ipm(T). are fairly
well approximated by formulas similar to those describing
the equilibrium case in the Aslamazov–
Lempitskiy theory in which the critical temperature
Tc is replaced by the enhanced critical
temperature TcP, which is valid for the whole temperature
region of the existence of the wide film regime.
It has been found that the magnitude of
Ipm(T). increases with the irradiation frequency,
while the temperature region of Ipm(T) enhancement
extends towards lower temperatures.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120910 |
| citation_txt |
Влияние микроволнового излучения на ток возникновения процессов проскальзывания фазы в широких пленках олова / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 849–854. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dmitrievvm vliâniemikrovolnovogoizlučeniânatokvozniknoveniâprocessovproskalʹzyvaniâfazyvširokihplenkaholova AT zoločevskiiiv vliâniemikrovolnovogoizlučeniânatokvozniknoveniâprocessovproskalʹzyvaniâfazyvširokihplenkaholova AT dmitrievvm microwaveradiationeffectoncurrentinducingphaseslipprocessesinwidetinfilms AT zoločevskiiiv microwaveradiationeffectoncurrentinducingphaseslipprocessesinwidetinfilms |
| first_indexed |
2025-12-07T16:26:58Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:26:58Z |
| _version_ |
1850867521393000448 |