Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические
 магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05;
 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению&a...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120916 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862565225802235904 |
|---|---|
| author | Пащенко, В.П. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Турченко, В.А. Варюхин, В.Н. Дьяконов, В.П. Шимчак, Г. |
| author_facet | Пащенко, В.П. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Турченко, В.А. Варюхин, В.Н. Дьяконов, В.П. Шимчак, Г. |
| citation_txt | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические
магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05;
0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению
температуры фазовых переходов металл–полупроводник Tms и Кюри Тc, к увеличению пика
магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах,
при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между
кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансная частота которого с увеличением
x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочный
обмен между ионами Mn³⁺ и Mn⁴⁺ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии,
но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен
изменением доли низкоспинового Mn²⁺ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличение
энергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность
структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными
ионами марганца в В-позициях.
Рентгеноструктурним, резистивним, магнітним, ЯМР ⁵⁵Mn методами досліджено керамічні магн
іторезистивні манганіт-лантанові перовскіти La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), які відпалено
при 1170 та 1500 °С. Встановлено, що підвищення вмісту Fe призводить до зменшення температури
фазових переходів метал–напівпровідник Tms і Кюрі ТС, до збільшення піка магніторезистивного
ефекту поблизу цих фазових переходів і його росту при низьких температурах, при яких магніторезистивний
ефект обумовлено тунельними переходами носіїв між кристалітами. Широкий асиметричний
спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансна частота якого зі збільшенням х зміщується в область менших частот,
підтверджує високочастотний електронно-дірковий обмін між іонами Mn³⁺ та Mn⁴⁺ і високу
дефектність гратки, що містить не тільки вакансії, але й кластери. Гістерезис на польових залежностях
намагніченості при 4,2 К обумовлено зміною частки низькоспінового Mn²⁺ у кластерах, магнетизм
яких проявляється нижче 42 К. Збільшення енергії активації при підвищенні вмісту Fe пояснено
впливом цих іонів на дефектність структури, концентрацію носіїв заряду й електронно-дірковий
обмін між різновалентними іонами марганцю в В-позиціях.
The ceramic magnetoresistive lanthanum-strontium
manganites La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0.02;
0.05; 0.1) were prepared at temperatures of 1170°C
and 1500°C and have been investigated by x-ray,
magnetic and ⁵⁵Mn NMR methods. The decrease in
the temperature of the metal–semiconductor phase
transition Tms and the Curie temperature Tc were observed
at increasing Fe contents. Also, the magnetoresistance
increased near the phase transition and
then decreased at lower temperatures. The broad
asymmetric ⁵⁵Mn NMR spectrum whose resonance
frequency shifts towards lower frequencies confirms
the existence of a high-frequency electron–hole exchange
between Mn³⁺ and Mn⁴⁺ ions and large contents
of defects in the lattice, containing not only vacancies,
but clusters, as well. The hysteresis in the
field dependences of magnetization at 4.2 K is due to
the change in the share of low-spin Mn²⁺ states in the
clusters, whose magnetism reveals itself below 42 K.
The increase of activation energy with the Fe content
is attributed to the influenced the Fe ions on the
structure defects, the concentration of charge carriers
and the electron–hole exchange between–different
valence Mn ions in the B-position.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:52:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120916 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T23:52:48Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Пащенко, В.П. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Турченко, В.А. Варюхин, В.Н. Дьяконов, В.П. Шимчак, Г. 2017-06-13T10:23:21Z 2017-06-13T10:23:21Z 2007 Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 75.50.Pp, 75.60.–d, 76.60.–k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120916 Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические
 магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05;
 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению
 температуры фазовых переходов металл–полупроводник Tms и Кюри Тc, к увеличению пика
 магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах,
 при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между
 кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансная частота которого с увеличением
 x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочный
 обмен между ионами Mn³⁺ и Mn⁴⁺ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии,
 но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен
 изменением доли низкоспинового Mn²⁺ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличение
 энергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность
 структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными
 ионами марганца в В-позициях. Рентгеноструктурним, резистивним, магнітним, ЯМР ⁵⁵Mn методами досліджено керамічні магн
 іторезистивні манганіт-лантанові перовскіти La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), які відпалено
 при 1170 та 1500 °С. Встановлено, що підвищення вмісту Fe призводить до зменшення температури
 фазових переходів метал–напівпровідник Tms і Кюрі ТС, до збільшення піка магніторезистивного
 ефекту поблизу цих фазових переходів і його росту при низьких температурах, при яких магніторезистивний
 ефект обумовлено тунельними переходами носіїв між кристалітами. Широкий асиметричний
 спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансна частота якого зі збільшенням х зміщується в область менших частот,
 підтверджує високочастотний електронно-дірковий обмін між іонами Mn³⁺ та Mn⁴⁺ і високу
 дефектність гратки, що містить не тільки вакансії, але й кластери. Гістерезис на польових залежностях
 намагніченості при 4,2 К обумовлено зміною частки низькоспінового Mn²⁺ у кластерах, магнетизм
 яких проявляється нижче 42 К. Збільшення енергії активації при підвищенні вмісту Fe пояснено
 впливом цих іонів на дефектність структури, концентрацію носіїв заряду й електронно-дірковий
 обмін між різновалентними іонами марганцю в В-позиціях. The ceramic magnetoresistive lanthanum-strontium
 manganites La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0.02;
 0.05; 0.1) were prepared at temperatures of 1170°C
 and 1500°C and have been investigated by x-ray,
 magnetic and ⁵⁵Mn NMR methods. The decrease in
 the temperature of the metal–semiconductor phase
 transition Tms and the Curie temperature Tc were observed
 at increasing Fe contents. Also, the magnetoresistance
 increased near the phase transition and
 then decreased at lower temperatures. The broad
 asymmetric ⁵⁵Mn NMR spectrum whose resonance
 frequency shifts towards lower frequencies confirms
 the existence of a high-frequency electron–hole exchange
 between Mn³⁺ and Mn⁴⁺ ions and large contents
 of defects in the lattice, containing not only vacancies,
 but clusters, as well. The hysteresis in the
 field dependences of magnetization at 4.2 K is due to
 the change in the share of low-spin Mn²⁺ states in the
 clusters, whose magnetism reveals itself below 42 K.
 The increase of activation energy with the Fe content
 is attributed to the influenced the Fe ions on the
 structure defects, the concentration of charge carriers
 and the electron–hole exchange between–different
 valence Mn ions in the B-position. Авторы выражают благодарность С.А. Арискиной
 за оказанную техническую помощь.
 Работа выполнена при частичной поддержке
 Project PBZ-KBN-115/T08/01. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпеpатуpный магнетизм Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ Crystal defects and magnetoresistive properties of ceramic La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ Article published earlier |
| spellingShingle | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ Пащенко, В.П. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Турченко, В.А. Варюхин, В.Н. Дьяконов, В.П. Шимчак, Г. Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| title | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ |
| title_alt | Crystal defects and magnetoresistive properties of ceramic La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ |
| title_full | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ |
| title_fullStr | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ |
| title_full_unstemmed | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ |
| title_short | Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ |
| title_sort | дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики la₀,₆sr₀,₂mn1,2-xfexo3±δ |
| topic | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| topic_facet | Низкотемпеpатуpный магнетизм |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120916 |
| work_keys_str_mv | AT paŝenkovp defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT šemâkovaa defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT paŝenkoav defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT prokopenkovk defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT revenkoûf defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT turčenkova defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT varûhinvn defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT dʹâkonovvp defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT šimčakg defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvoistvakeramikila06sr02mn12xfexo3δ AT paŝenkovp crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT šemâkovaa crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT paŝenkoav crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT prokopenkovk crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT revenkoûf crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT turčenkova crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT varûhinvn crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT dʹâkonovvp crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ AT šimčakg crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3δ |