Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению температуры фазо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2007
Main Authors: Пащенко, В.П., Шемяков, А.А., Пащенко, А.В., Прокопенко, В.К., Ревенко, Ю.Ф., Турченко, В.А., Варюхин, В.Н., Дьяконов, В.П., Шимчак, Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Series:Физика низких температур
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120916
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120916
record_format dspace
fulltext
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
Низкотемпеpатуpный магнетизм
spellingShingle Низкотемпеpатуpный магнетизм
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Пащенко, В.П.
Шемяков, А.А.
Пащенко, А.В.
Прокопенко, В.К.
Ревенко, Ю.Ф.
Турченко, В.А.
Варюхин, В.Н.
Дьяконов, В.П.
Шимчак, Г.
Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
Физика низких температур
description Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению температуры фазовых переходов металл–полупроводник Tms и Кюри Тc, к увеличению пика магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах, при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансная частота которого с увеличением x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочный обмен между ионами Mn³⁺ и Mn⁴⁺ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии, но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен изменением доли низкоспинового Mn²⁺ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличение энергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными ионами марганца в В-позициях.
format Article
author Пащенко, В.П.
Шемяков, А.А.
Пащенко, А.В.
Прокопенко, В.К.
Ревенко, Ю.Ф.
Турченко, В.А.
Варюхин, В.Н.
Дьяконов, В.П.
Шимчак, Г.
author_facet Пащенко, В.П.
Шемяков, А.А.
Пащенко, А.В.
Прокопенко, В.К.
Ревенко, Ю.Ф.
Турченко, В.А.
Варюхин, В.Н.
Дьяконов, В.П.
Шимчак, Г.
author_sort Пащенко, В.П.
title Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
title_short Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
title_full Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
title_fullStr Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
title_full_unstemmed Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ
title_sort дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики la₀,₆sr₀,₂mn1,2-xfexo3±δ
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2007
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120916
citation_txt Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT paŝenkovp defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT šemâkovaa defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT paŝenkoav defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT prokopenkovk defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT revenkoûf defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT turčenkova defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT varûhinvn defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT dʹâkonovvp defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT šimčakg defektnostʹstrukturyimagnitorezistivnyesvojstvakeramikila06sr02mn12xfexo3d
AT paŝenkovp crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT šemâkovaa crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT paŝenkoav crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT prokopenkovk crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT revenkoûf crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT turčenkova crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT varûhinvn crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT dʹâkonovvp crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
AT šimčakg crystaldefectsandmagnetoresistivepropertiesofceramicla06sr02mn12xfexo3d
first_indexed 2025-11-25T23:52:48Z
last_indexed 2025-11-25T23:52:48Z
_version_ 1849808407483121664
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1209162025-02-09T12:32:01Z Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ Crystal defects and magnetoresistive properties of ceramic La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ Пащенко, В.П. Шемяков, А.А. Пащенко, А.В. Прокопенко, В.К. Ревенко, Ю.Ф. Турченко, В.А. Варюхин, В.Н. Дьяконов, В.П. Шимчак, Г. Низкотемпеpатуpный магнетизм Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению температуры фазовых переходов металл–полупроводник Tms и Кюри Тc, к увеличению пика магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах, при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансная частота которого с увеличением x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочный обмен между ионами Mn³⁺ и Mn⁴⁺ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии, но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен изменением доли низкоспинового Mn²⁺ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличение энергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными ионами марганца в В-позициях. Рентгеноструктурним, резистивним, магнітним, ЯМР ⁵⁵Mn методами досліджено керамічні магн іторезистивні манганіт-лантанові перовскіти La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), які відпалено при 1170 та 1500 °С. Встановлено, що підвищення вмісту Fe призводить до зменшення температури фазових переходів метал–напівпровідник Tms і Кюрі ТС, до збільшення піка магніторезистивного ефекту поблизу цих фазових переходів і його росту при низьких температурах, при яких магніторезистивний ефект обумовлено тунельними переходами носіїв між кристалітами. Широкий асиметричний спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансна частота якого зі збільшенням х зміщується в область менших частот, підтверджує високочастотний електронно-дірковий обмін між іонами Mn³⁺ та Mn⁴⁺ і високу дефектність гратки, що містить не тільки вакансії, але й кластери. Гістерезис на польових залежностях намагніченості при 4,2 К обумовлено зміною частки низькоспінового Mn²⁺ у кластерах, магнетизм яких проявляється нижче 42 К. Збільшення енергії активації при підвищенні вмісту Fe пояснено впливом цих іонів на дефектність структури, концентрацію носіїв заряду й електронно-дірковий обмін між різновалентними іонами марганцю в В-позиціях. The ceramic magnetoresistive lanthanum-strontium manganites La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0.02; 0.05; 0.1) were prepared at temperatures of 1170°C and 1500°C and have been investigated by x-ray, magnetic and ⁵⁵Mn NMR methods. The decrease in the temperature of the metal–semiconductor phase transition Tms and the Curie temperature Tc were observed at increasing Fe contents. Also, the magnetoresistance increased near the phase transition and then decreased at lower temperatures. The broad asymmetric ⁵⁵Mn NMR spectrum whose resonance frequency shifts towards lower frequencies confirms the existence of a high-frequency electron–hole exchange between Mn³⁺ and Mn⁴⁺ ions and large contents of defects in the lattice, containing not only vacancies, but clusters, as well. The hysteresis in the field dependences of magnetization at 4.2 K is due to the change in the share of low-spin Mn²⁺ states in the clusters, whose magnetism reveals itself below 42 K. The increase of activation energy with the Fe content is attributed to the influenced the Fe ions on the structure defects, the concentration of charge carriers and the electron–hole exchange between–different valence Mn ions in the B-position. Авторы выражают благодарность С.А. Арискиной за оказанную техническую помощь. Работа выполнена при частичной поддержке Project PBZ-KBN-115/T08/01. 2007 Article Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.20.My, 75.50.Pp, 75.60.–d, 76.60.–k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120916 ru Физика низких температур application/pdf Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України