К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2007
• Main Authors: Окулов, В.И., Архипов, В.Е., Говоркова, Т.Е., Королев, А.В., Марченков, В.В., Окулова, К.А., Шредер, Е.И., Вебер, Х.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Subjects: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной
 восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al
 обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных
 сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным
 низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению
 узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое
 описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к
 экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина
 (~ 10²). Досліджено температурні залежності електроопору коефіцієнта Холу та магнітної сприйнятливост
 і сплавів залізо–ванадій–алюміній і встановлено, що сплав Fe₁,₉V₁,₁Al має напівпровідникові
 залежності при використаному способі отримання однорідних сплавів. Показано, що в інтервалі температур
 нижче 30 К напівпровідниковий сплав має характерний низькотемпературний масштаб залежностей,
 які спостерігалися, що може відповідати прояву вузької псевдощілини в електронній
 щільності станів. Запропоновано простий теоретичний опис ефектів псевдощілини. Внаслідок погодженого
 припасування теоретичних залежностей до експериментальних визначено ефективну ширину
 псевдощілини (~ 1 меВ) та її відносну глибину (~ 10²). We have analyzed the temperature dependences
 of electrical resistivity, magnetic susceptibility and
 Hall concentration in the Fe₁,₉V₁,₁Al alloy having
 the semiconductor-like properties. It has been established
 that the semiconductor alloy exhibits a
 low-temperature scale of changing the quantities
 measured which can be attributed the pseudogap on
 the density of states. On the basis of the simple theoretical
 description taking into account the influence
 of a pseudogap on the density of states, we fitted
 the experimental temperature dependences
 using the predicted theoretical curves in the
 low-temperature range. As a result, the consistent
 value of the effective width of the pseudogap
 (~ 1 meV) and its relative depth (~ 10²) have been
 found.