К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной
 восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al
 обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных
 сплавов...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710706954043392 |
|---|---|
| author | Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. |
| author_facet | Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. |
| citation_txt | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной
восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al
обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных
сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным
низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению
узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое
описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к
экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина
(~ 10²).
Досліджено температурні залежності електроопору коефіцієнта Холу та магнітної сприйнятливост
і сплавів залізо–ванадій–алюміній і встановлено, що сплав Fe₁,₉V₁,₁Al має напівпровідникові
залежності при використаному способі отримання однорідних сплавів. Показано, що в інтервалі температур
нижче 30 К напівпровідниковий сплав має характерний низькотемпературний масштаб залежностей,
які спостерігалися, що може відповідати прояву вузької псевдощілини в електронній
щільності станів. Запропоновано простий теоретичний опис ефектів псевдощілини. Внаслідок погодженого
припасування теоретичних залежностей до експериментальних визначено ефективну ширину
псевдощілини (~ 1 меВ) та її відносну глибину (~ 10²).
We have analyzed the temperature dependences
of electrical resistivity, magnetic susceptibility and
Hall concentration in the Fe₁,₉V₁,₁Al alloy having
the semiconductor-like properties. It has been established
that the semiconductor alloy exhibits a
low-temperature scale of changing the quantities
measured which can be attributed the pseudogap on
the density of states. On the basis of the simple theoretical
description taking into account the influence
of a pseudogap on the density of states, we fitted
the experimental temperature dependences
using the predicted theoretical curves in the
low-temperature range. As a result, the consistent
value of the effective width of the pseudogap
(~ 1 meV) and its relative depth (~ 10²) have been
found.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:26:42Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120925 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:26:42Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. 2017-06-13T10:29:03Z 2017-06-13T10:29:03Z 2007 К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Be, 72.15.Eb, 75.20.En https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925 Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной
 восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al
 обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных
 сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным
 низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению
 узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое
 описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к
 экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина
 (~ 10²). Досліджено температурні залежності електроопору коефіцієнта Холу та магнітної сприйнятливост
 і сплавів залізо–ванадій–алюміній і встановлено, що сплав Fe₁,₉V₁,₁Al має напівпровідникові
 залежності при використаному способі отримання однорідних сплавів. Показано, що в інтервалі температур
 нижче 30 К напівпровідниковий сплав має характерний низькотемпературний масштаб залежностей,
 які спостерігалися, що може відповідати прояву вузької псевдощілини в електронній
 щільності станів. Запропоновано простий теоретичний опис ефектів псевдощілини. Внаслідок погодженого
 припасування теоретичних залежностей до експериментальних визначено ефективну ширину
 псевдощілини (~ 1 меВ) та її відносну глибину (~ 10²). We have analyzed the temperature dependences
 of electrical resistivity, magnetic susceptibility and
 Hall concentration in the Fe₁,₉V₁,₁Al alloy having
 the semiconductor-like properties. It has been established
 that the semiconductor alloy exhibits a
 low-temperature scale of changing the quantities
 measured which can be attributed the pseudogap on
 the density of states. On the basis of the simple theoretical
 description taking into account the influence
 of a pseudogap on the density of states, we fitted
 the experimental temperature dependences
 using the predicted theoretical curves in the
 low-temperature range. As a result, the consistent
 value of the effective width of the pseudogap
 (~ 1 meV) and its relative depth (~ 10²) have been
 found. Работа выполнена при поддержке Российского
 фонда фундаментальных исследований (гранты
 № 05–02–16930 и № 06–02–16919) и Программы
 Президиума РАН «Влияние атомно-кристаллической
 и электронной структуры на свойства конденсированных
 сред». Один из авторов (B.B.M.) благодарит
 Австрийскую академию наук за финансовую поддержку. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий On the experimental justification of the anomalies of the electron density of states in semiconductor iron–vanadium–aluminum alloys Article published earlier |
| spellingShingle | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_alt | On the experimental justification of the anomalies of the electron density of states in semiconductor iron–vanadium–aluminum alloys |
| title_full | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_fullStr | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_full_unstemmed | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_short | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_sort | к экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925 |
| work_keys_str_mv | AT okulovvi kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT arhipovve kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT govorkovate kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT korolevav kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT marčenkovvv kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT okulovaka kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT šrederei kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT veberhv kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT okulovvi ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT arhipovve ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT govorkovate ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT korolevav ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT marčenkovvv ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT okulovaka ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT šrederei ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT veberhv ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys |