К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий

Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных сплавов. Показано, что в интерв...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2007
Автори:	Окулов, В.И., Архипов, В.Е., Говоркова, Т.Е., Королев, А.В., Марченков, В.В., Окулова, К.А., Шредер, Е.И., Вебер, Х.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Теми:	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120925
record_format	dspace
spelling	Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. 2017-06-13T10:29:03Z 2017-06-13T10:29:03Z 2007 К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Be, 72.15.Eb, 75.20.En https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925 Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина (~ 10²). Досліджено температурні залежності електроопору коефіцієнта Холу та магнітної сприйнятливост і сплавів залізо–ванадій–алюміній і встановлено, що сплав Fe₁,₉V₁,₁Al має напівпровідникові залежності при використаному способі отримання однорідних сплавів. Показано, що в інтервалі температур нижче 30 К напівпровідниковий сплав має характерний низькотемпературний масштаб залежностей, які спостерігалися, що може відповідати прояву вузької псевдощілини в електронній щільності станів. Запропоновано простий теоретичний опис ефектів псевдощілини. Внаслідок погодженого припасування теоретичних залежностей до експериментальних визначено ефективну ширину псевдощілини (~ 1 меВ) та її відносну глибину (~ 10²). We have analyzed the temperature dependences of electrical resistivity, magnetic susceptibility and Hall concentration in the Fe₁,₉V₁,₁Al alloy having the semiconductor-like properties. It has been established that the semiconductor alloy exhibits a low-temperature scale of changing the quantities measured which can be attributed the pseudogap on the density of states. On the basis of the simple theoretical description taking into account the influence of a pseudogap on the density of states, we fitted the experimental temperature dependences using the predicted theoretical curves in the low-temperature range. As a result, the consistent value of the effective width of the pseudogap (~ 1 meV) and its relative depth (~ 10²) have been found. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты № 05–02–16930 и № 06–02–16919) и Программы Президиума РАН «Влияние атомно-кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред». Один из авторов (B.B.M.) благодарит Австрийскую академию наук за финансовую поддержку. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий On the experimental justification of the anomalies of the electron density of states in semiconductor iron–vanadium–aluminum alloys Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
spellingShingle	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
title_short	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
title_full	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
title_fullStr	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
title_full_unstemmed	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
title_sort	к экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
author	Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В.
author_facet	Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В.
topic	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
topic_facet	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
publishDate	2007
language	Russian
container_title	Физика низких температур
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format	Article
title_alt	On the experimental justification of the anomalies of the electron density of states in semiconductor iron–vanadium–aluminum alloys
description	Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина (~ 10²). Досліджено температурні залежності електроопору коефіцієнта Холу та магнітної сприйнятливост і сплавів залізо–ванадій–алюміній і встановлено, що сплав Fe₁,₉V₁,₁Al має напівпровідникові залежності при використаному способі отримання однорідних сплавів. Показано, що в інтервалі температур нижче 30 К напівпровідниковий сплав має характерний низькотемпературний масштаб залежностей, які спостерігалися, що може відповідати прояву вузької псевдощілини в електронній щільності станів. Запропоновано простий теоретичний опис ефектів псевдощілини. Внаслідок погодженого припасування теоретичних залежностей до експериментальних визначено ефективну ширину псевдощілини (~ 1 меВ) та її відносну глибину (~ 10²). We have analyzed the temperature dependences of electrical resistivity, magnetic susceptibility and Hall concentration in the Fe₁,₉V₁,₁Al alloy having the semiconductor-like properties. It has been established that the semiconductor alloy exhibits a low-temperature scale of changing the quantities measured which can be attributed the pseudogap on the density of states. On the basis of the simple theoretical description taking into account the influence of a pseudogap on the density of states, we fitted the experimental temperature dependences using the predicted theoretical curves in the low-temperature range. As a result, the consistent value of the effective width of the pseudogap (~ 1 meV) and its relative depth (~ 10²) have been found.
issn	0132-6414
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120925
citation_txt	К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT okulovvi kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT arhipovve kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT govorkovate kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT korolevav kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT marčenkovvv kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT okulovaka kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT šrederei kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT veberhv kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomaliiélektronnoiplotnostisostoâniivpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadiialûminii AT okulovvi ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT arhipovve ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT govorkovate ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT korolevav ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT marčenkovvv ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT okulovaka ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT šrederei ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys AT veberhv ontheexperimentaljustificationoftheanomaliesoftheelectrondensityofstatesinsemiconductorironvanadiumaluminumalloys
first_indexed	2025-12-07T17:26:42Z
last_indexed	2025-12-07T17:26:42Z
_version_	1850871279316369408

К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий

Репозитарії

Схожі ресурси