Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами

Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического
 потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости
 возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в
...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:2007
1. Verfasser: Микитик, Г.П.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120942
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами / Г.П. Микитик // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1104–1108. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического
 потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости
 возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в
 точке зоны Бриллюэна кристалла, и если химический потенциал находится в окрестности энергии вырождения.
 В частности, такое вырождение зон имеет место в кристаллах со структурой А-15 (например,
 в V₃Si). Полученные результаты могут быть использованы для объяснения сильных температурных
 зависимостей магнитной восприимчивости, наблюдаемых в сверхпроводящих материалах с этой
 структурой в нормальном состоянии. Показано, що залежність магнітної сприйнятливості електронів у кристалі від їхнього хімічного
 потенціалу може мати вигляд різкої сходинки. Ця незвичайна аномалія магнітної сприйнятливості
 можлива тільки при певному типі виродження двох електронних енергетичних зон у точці зони
 Бріллюєна кристала, і якщо хімічний потенціал знаходиться поблизу енергії виродження. Зокрема,
 таке виродження зон має місце в кристалах зі структурою А-15 (наприклад, в V₃Si). Отримані результати
 можуть бути використані для пояснення сильних температурних залежностей магнітної сприйнятливост
 і, які спостерігаються у надпровідних матеріалах з цією структурою у нормальному стані. It is shown that the dependence of magnetic
 susceptibility of electrons in a crystal on their chemical
 potential is of a sharp step shape. This unusual
 anomaly of the magnetic susceptibility may
 occur only under a certain type of degeneracy of
 two electron-energy bands at a point of the Brillouin
 zone and if the chemical potential is in the vicinity
 of the degenerate energy. In particular, this
 type of degeneracy occurs in compounds with the
 crystal structure A-15 (e.g., in V₃Si). The results
 obtained can be used to explain the known strong
 temperature dependences of magnetic susceptibility
 of A-15 superconductors when they are in the
 normal state.
ISSN:0132-6414