Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами

Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в точке зоны Бриллюэна кр...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2007
Автор: Микитик, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120942
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами / Г.П. Микитик // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1104–1108. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120942
record_format dspace
spelling Микитик, Г.П.
2017-06-13T10:49:51Z
2017-06-13T10:49:51Z
2007
Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами / Г.П. Микитик // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1104–1108. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 71.18.+y, 74.70.Ad
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120942
Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в точке зоны Бриллюэна кристалла, и если химический потенциал находится в окрестности энергии вырождения. В частности, такое вырождение зон имеет место в кристаллах со структурой А-15 (например, в V₃Si). Полученные результаты могут быть использованы для объяснения сильных температурных зависимостей магнитной восприимчивости, наблюдаемых в сверхпроводящих материалах с этой структурой в нормальном состоянии.
Показано, що залежність магнітної сприйнятливості електронів у кристалі від їхнього хімічного потенціалу може мати вигляд різкої сходинки. Ця незвичайна аномалія магнітної сприйнятливості можлива тільки при певному типі виродження двох електронних енергетичних зон у точці зони Бріллюєна кристала, і якщо хімічний потенціал знаходиться поблизу енергії виродження. Зокрема, таке виродження зон має місце в кристалах зі структурою А-15 (наприклад, в V₃Si). Отримані результати можуть бути використані для пояснення сильних температурних залежностей магнітної сприйнятливост і, які спостерігаються у надпровідних матеріалах з цією структурою у нормальному стані.
It is shown that the dependence of magnetic susceptibility of electrons in a crystal on their chemical potential is of a sharp step shape. This unusual anomaly of the magnetic susceptibility may occur only under a certain type of degeneracy of two electron-energy bands at a point of the Brillouin zone and if the chemical potential is in the vicinity of the degenerate energy. In particular, this type of degeneracy occurs in compounds with the crystal structure A-15 (e.g., in V₃Si). The results obtained can be used to explain the known strong temperature dependences of magnetic susceptibility of A-15 superconductors when they are in the normal state.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
Step-like anomaly of magnetic susceptibility in crystals with degenerate electron-energy bands
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
spellingShingle Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
Микитик, Г.П.
Низкотемпеpатуpный магнетизм
title_short Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
title_full Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
title_fullStr Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
title_full_unstemmed Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
title_sort аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
author Микитик, Г.П.
author_facet Микитик, Г.П.
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
publishDate 2007
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Step-like anomaly of magnetic susceptibility in crystals with degenerate electron-energy bands
description Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в точке зоны Бриллюэна кристалла, и если химический потенциал находится в окрестности энергии вырождения. В частности, такое вырождение зон имеет место в кристаллах со структурой А-15 (например, в V₃Si). Полученные результаты могут быть использованы для объяснения сильных температурных зависимостей магнитной восприимчивости, наблюдаемых в сверхпроводящих материалах с этой структурой в нормальном состоянии. Показано, що залежність магнітної сприйнятливості електронів у кристалі від їхнього хімічного потенціалу може мати вигляд різкої сходинки. Ця незвичайна аномалія магнітної сприйнятливості можлива тільки при певному типі виродження двох електронних енергетичних зон у точці зони Бріллюєна кристала, і якщо хімічний потенціал знаходиться поблизу енергії виродження. Зокрема, таке виродження зон має місце в кристалах зі структурою А-15 (наприклад, в V₃Si). Отримані результати можуть бути використані для пояснення сильних температурних залежностей магнітної сприйнятливост і, які спостерігаються у надпровідних матеріалах з цією структурою у нормальному стані. It is shown that the dependence of magnetic susceptibility of electrons in a crystal on their chemical potential is of a sharp step shape. This unusual anomaly of the magnetic susceptibility may occur only under a certain type of degeneracy of two electron-energy bands at a point of the Brillouin zone and if the chemical potential is in the vicinity of the degenerate energy. In particular, this type of degeneracy occurs in compounds with the crystal structure A-15 (e.g., in V₃Si). The results obtained can be used to explain the known strong temperature dependences of magnetic susceptibility of A-15 superconductors when they are in the normal state.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120942
citation_txt Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами / Г.П. Микитик // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1104–1108. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mikitikgp anomaliâmagnitnoivospriimčivostivvidestupenʹkivkristallahsvyroždennymiélektronnymiénergetičeskimizonami
AT mikitikgp steplikeanomalyofmagneticsusceptibilityincrystalswithdegenerateelectronenergybands
first_indexed 2025-12-07T17:50:51Z
last_indexed 2025-12-07T17:50:51Z
_version_ 1850872798700896256