Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в кван...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120945 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. 2017-06-13T10:51:46Z 2017-06-13T10:51:46Z 2007 Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.55.–i, 78.67.De https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945 Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу ється, а радіус локалізації носіїв збільшується. It is shown experimentally that with shifting an acceptor impurity in quantum wells of the Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to on-edge position its ground state binding energy decreases and localization radius of charge carriers increases. Авторы выражают благодарность проф. О.Г. Сарбею за полезную дискуссию. Работа выполнена при поддержке совместного проекта УНTЦ и НАН Украины №3922, программы фундаментальных исследований НАН Украины «Наноструктурные системы, наноматериалы, нанотехнологии» (проект № 10/07-H). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям Energy characteristics of the boron impurity in the Si/Si1–x Gex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| spellingShingle |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title_short |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_full |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_fullStr |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_full_unstemmed |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_sort |
энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах si/si1-xgex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| author |
Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. |
| author_facet |
Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Energy characteristics of the boron impurity in the Si/Si1–x Gex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells |
| description |
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур
Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а
радиус локализации носителей увеличивается.
Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур
Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу
ється, а радіус локалізації носіїв збільшується.
It is shown experimentally that with shifting
an acceptor impurity in quantum wells of the
Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to
on-edge position its ground state binding energy
decreases and localization radius of charge carriers
increases.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945 |
| citation_txt |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vainbergvv énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT gudenkoûn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT porošinvn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT tulupenkovn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT chenghh énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT yangzp énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT mashanovv énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT wangky énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT vainbergvv energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT gudenkoûn energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT porošinvn energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT tulupenkovn energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT chenghh energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT yangzp energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT mashanovv energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT wangky energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells |
| first_indexed |
2025-11-30T09:31:03Z |
| last_indexed |
2025-11-30T09:31:03Z |
| _version_ |
1850857192298643456 |