Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур
 Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а
 радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторно...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862629178921189376 |
|---|---|
| author | Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. |
| author_facet | Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. |
| citation_txt | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур
Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а
радиус локализации носителей увеличивается.
Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур
Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу
ється, а радіус локалізації носіїв збільшується.
It is shown experimentally that with shifting
an acceptor impurity in quantum wells of the
Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to
on-edge position its ground state binding energy
decreases and localization radius of charge carriers
increases.
|
| first_indexed | 2025-11-30T09:31:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120945 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T09:31:03Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. 2017-06-13T10:51:46Z 2017-06-13T10:51:46Z 2007 Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.55.–i, 78.67.De https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945 Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур
 Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а
 радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур
 Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу
 ється, а радіус локалізації носіїв збільшується. It is shown experimentally that with shifting
 an acceptor impurity in quantum wells of the
 Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to
 on-edge position its ground state binding energy
 decreases and localization radius of charge carriers
 increases. Авторы выражают благодарность проф. О.Г. Сарбею
 за полезную дискуссию.
 Работа выполнена при поддержке совместного
 проекта УНTЦ и НАН Украины №3922, программы
 фундаментальных исследований НАН Украины «Наноструктурные
 системы, наноматериалы, нанотехнологии» (проект № 10/07-H). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям Energy characteristics of the boron impurity in the Si/Si1–x Gex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells Article published earlier |
| spellingShingle | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| title | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_alt | Energy characteristics of the boron impurity in the Si/Si1–x Gex heterostructures with on-center and on-edge selective doping of quantum wells |
| title_full | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_fullStr | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_full_unstemmed | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_short | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_sort | энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах si/si1-xgex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| topic | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945 |
| work_keys_str_mv | AT vainbergvv énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT gudenkoûn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT porošinvn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT tulupenkovn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT chenghh énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT yangzp énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT mashanovv énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT wangky énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT vainbergvv energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT gudenkoûn energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT porošinvn energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT tulupenkovn energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT chenghh energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT yangzp energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT mashanovv energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells AT wangky energycharacteristicsoftheboronimpurityinthesisi1xgexheterostructureswithoncenterandonedgeselectivedopingofquantumwells |