Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям - Вайнберг, В.В.; Гуденко, Ю.Н.; Порошин, В.Н.; Tулупенко, В.Н.; Cheng, H.H.; Yang, Z.P.; Mashanov, V.; Wang, K.Y. (Физика низких температур, 2007)
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу ється, а радіус локалізації носіїв збільшується. It is shown experimentally that with shifting an acceptor impurity in quantum wells of the Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to on-edge position its ground state binding energy decreases and localization radius of charge carriers increases.