Зображення обкладинки

Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям

Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторно...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физика низких температур
Дата:	2007
Автори:	Вайнберг, В.В., Гуденко, Ю.Н., Порошин, В.Н., Tулупенко, В.Н., Cheng, H.H., Yang, Z.P., Mashanov, V., Wang, K.Y.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Теми:	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120945
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: A. A. Greenchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Adsorption of molecular oxygen onto Si1-xGex/Si(001) surface
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Local atomic structures in Si₁₋xGex and Si₁₋xSnx random solid solutions
за авторством: Deibuk, V.G., та інші
Опубліковано: (2005)

Адсорбція молекулярного кисню на по-верхню Si1–xGex/Si(001)
за авторством: Greenchuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of the optical and acoustical phonon modes in Si₁₋xGex QD SLs
за авторством: Dzhagan, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Phase diagrams of Si₁-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2012)

Phase diagrams of Si1-xGex solid solution: a theoretical approach
за авторством: A. R. Jivani, та інші
Опубліковано: (2012)

Some physical properties of Si₁₋xGex solid solutions using pseudo-alloy atom model
за авторством: Jivani, A.R., та інші
Опубліковано: (2005)

Особливості зародження та упорядкування GeSi наноострівців у багатошарових структурах, сформованих на Si та Si1-xGex буферних шарах
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2022)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
за авторством: Вайнберг, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Najafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Optoelectronic properties of thin hydrogenated a-Si1–xGex:H (x = 0ч1) films produced by plasma chemical deposition technique
за авторством: B. A. Nadzhafov, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: O. A. Hrynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface stresses at the initial steps of the GexSi1-x/Si(001) surface oxidation
за авторством: A. A. Grynchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Поверхневi напруження на початкових етапах окислення GexSi1−x/Si(001)
за авторством: Grynchuk, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Дифузія атома кисню у приповерхневі шари інтерфейсу GexSi1-x/Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Engineering of mixed Bi₄(GexSi₁₋x)₃O₁₂ scintillation crystals
за авторством: Galenin, E., та інші
Опубліковано: (2015)

Расчёт остаточных напряжений при селективном лазерном плавлении порошков
за авторством: Гусаров, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
за авторством: Жураев, Н., та інші
Опубліковано: (2017)

Фотопровідність та фотопольова емісія в багатошарових Si/Ge гетероструктурах із квантовими точками
за авторством: Кондратенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Магнитные и релаксационные явления в плёночных гетероструктурах Si—TiN—Fe с углеродными нанотрубками
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2015)

Low-temperature Hall effect and martensitic transition temperatures in magnetocaloric Ni50Mn35Sb15–xGex (x = 0, 1, 3) alloys
за авторством: V. V. Marchenkov, та інші
Опубліковано: (2021)

Озера в центре мирового внимания
за авторством: Шадрин, Н.В.
Опубліковано: (2010)

Транспорт заряда в MoRe—Si(W)—MoRe-гетероструктурах при различных уровнях легирования полупроводникового слоя
за авторством: Шаповалов, А.П.
Опубліковано: (2013)

Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)

Избыточный квазичастичный ток в джозефсоновских гетероструктурах сверхпроводник—допированный полупроводник—сверхпроводник MoRe—Si (W)—MoRe
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2014)

Коллекция нетрадиционных плодовых культур в Артемовском научно-исследовательском центре Института садоводства УААН
за авторством: Меженский, В.Н.
Опубліковано: (2005)

Зарядовый транспорт в сверхпроводящих гетероструктурах MoRe–Si(W)–MoRe с гибридным полупроводниковым барьером с нанокластерами металла
за авторством: Шатерник, В.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Український мистецтвознавець зі світовим ім'ям
за авторством: Гасанова, Н.
Опубліковано: (2002)

Ответ на рецензию Я.М. Хазана
за авторством: Миронцов, Н.Л.
Опубліковано: (2013)

Мемристорные эффекты в твёрдотельных гетероструктурах
за авторством: Руденко, Э.М., та інші
Опубліковано: (2016)

Особенности формирования наноструктурированных полимерных систем с ≡SI–O–SI≡ -группировками
за авторством: Ященко, Л.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Чи треба тужити за втраченим ім'ям?
за авторством: Гирич, І.
Опубліковано: (2002)

Энергетический спектр конечной цепочки цилиндрических потенциальных ям
за авторством: Глушко, Е.Я.
Опубліковано: (1997)

Упрочнение магниевого сплава МЛ4 при легировании галлием
за авторством: Хохлов, М.А., та інші
Опубліковано: (2017)