Смена знака магнитосопротивления в сверхпроводящих пленках: роль краевого барьера - Заскалько, В.В.; Максимов, И.Л.; Водолазов, Д.Ю. (Физика низких температур, 2007)
Исследованы резистивные характеристики бездефектных сверхпроводников второго рода с краевым
барьером. Анализ проведен на основе модельной системы, представляющей собой бесконечно
длинную полоску конечной ширины W и толщины d << W. Численное решение уравнений Максвелла
Лондона, рассматриваемых в рамках гидродинамического описания, позволяет рассчитать вольтамперные
характеристики и магнитосопротивление образца (МС) R(H). Обнаружено, что положительное
МС (dR/dH >0), имеющее место в области низких значений транспортного тока I < I* (I*
ток перехода), изменяет знак: dR/dH < 0 при I > I* . Эффект смены знака МС объясняется изменением
доминирующего механизма диссипации энергии в пленке (т.е. переходом от вязких потерь к аннигиляционным).
Показано, что наличие слабого пиннинга магнитного потока не приводит к изменению
поведения R(H). Досліджено резистивні характеристики бездефектних надпровідників другого роду із крайовим
бар єром. Аналіз проведено на основі модельної системи, що представляє собою нескінченно довгу
смужку кінцевої ширини W і товщини d << W. Чисельне рішення рівнянь Максвелла Лондона, розглянутих
у рамках гідродинамічного опису, дозволяє розрахувати вольт-амперні характеристики й магн
ітоопір зразка (МС) R(H). Виявлено, що позитивне МС (dR/dH > 0), що має місце в області низьких
значень транспортного струму I < I* (I* струм переходу), змінює знак: dR/dH < 0 при I > I* . Ефект
зміни знака МС пояснюється зміною домінуючого механізму дисипації енергії в плівці (тобто переходом
від в язких втрат до анігіляційних). Показано, що наявність слабкого пінінга магнітного потоку
не приводить до зміни поводження R(H). The resistive characteristics of pin-free superconductors
with an edge barrier are studied. A model
system representing an infinitely long strip of
finite width W and thickness d << W is analysed.
The numerical solution of the Maxwell–London
equation, derived in the hydrodynamic approach,
makes it possible to calculate both the voltagecurrent
characteristics and the magnetoresistance
(MR) R(H). It is found that the positive MR behavior
(dR/dH >0) actual within a sufficiently low current
range I < I* ( I* being the crossover current),
changes its sign: dR/dH < 0 at I>I*. This effect is
caused by the crossover between the dominant
dissipation mechanisms inside the film (i.e. by the
transition from the viscous losses mechanism to the
vortex annihilation one). It is shown that the presence
of a weak magnetic flux pinning does not
modify the behaviour of R(H).