О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2007
• 1. Verfasser: Сергеева, Г.Г.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Schlagworte: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120953
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл 
 недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых
 Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на
 сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл 
 низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий
 к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла.
 Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном
 контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах
 только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности,
 в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного
 (АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах
 N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из
 страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих
 носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости. При T < Tc досліджено процес відбиттів електрона та дірки від межі нормальний метал недостатньо
 допований високотемпературний надпровідник (НД ВТНП), які спостережено Г. Дойтсчером та
 ін. на крапковому N/S контакті. На додаток до відомого механізму відбиттів на надпровідному потенц
 іалі, розвиненому Андрієвим, де Женном та Сент-Джеймсом для контакту метал низькотемпературний
 надпровідник, запропоновано страйповий механізм відбиттів, що призводить до повного циклу
 із двома відбиттями електрона й дірки від зовнішньої границі нормального металу. Показано, що
 до таких відбиттів призводять іони міді у страйпах CuO₂-площини у точковому контакті: іони міді в
 D-страйпах поглинають і випромінюють у метал тільки електрони, а в U-страйпах тільки дірки.
 При T < Tc на відстані від границі метал НД ВТНП, що дорівнюється довжині когерентності, у D- та
 U-страйпах N/S контакту повинні спостерігатися локальні флуктуації антиферомагнітного (АФМ)
 упорядкування іонів міді: при поглинанні електрона локальний АФМ порядок у страйпах N/S контакту
 відновлюється, при поглинанні дірки порушується. Відхід електронів і дірок зі страйпів
 CuO₂-площини НД ВТНП у нормальний метал свідчить про несумісність цих носіїв заряду з локальним
 АФМ упорядкуванням двовалентних іонів міді в CuO₂-площині. Electron and hole reflections from normal metal
 (N)–underdoped high-Tc cuprates (UD HTS) interface
 were studied at T < Tc . These reflections
 were first observed by G. Deutscher at al. for N–S
 point contact. In addition to the known Andreev-de
 Gennes-Saint James mechanism of reflections on
 superconducting potential, a stripe mechanism of
 reflections is discussed here. It is shown that for a
 point contact the copper ions in D-stripes of the
 CuO₂ plane absorb and emit only electrons, and the
 copper ions in U-stripes absorb and emit only holes.
 At T < Tc in D- and U-stripes local fluctuations
 of antiferromagnetic (AFM) order are observed at
 a distance from the interface which is equal the
 coherence length: the local AFM order is restored
 with electron absorption and it is broken with hole
 absorption. Escape of electrons and holes from the
 stripes of CuO₂ plane to N metal suggests that these
 charge carriers are incompatible with the local AFM
 ordering of bivalent copper ions in CuO₂ planes.