О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник
При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на сверхпроводящем потенциале,...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120953 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-120953 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Сергеева, Г.Г. 2017-06-13T10:59:20Z 2017-06-13T10:59:20Z 2007 О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.72.–h, 74.72.Dn, 74.40.+k https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120953 При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла. Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности, в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного (АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости. При T < Tc досліджено процес відбиттів електрона та дірки від межі нормальний метал недостатньо допований високотемпературний надпровідник (НД ВТНП), які спостережено Г. Дойтсчером та ін. на крапковому N/S контакті. На додаток до відомого механізму відбиттів на надпровідному потенц іалі, розвиненому Андрієвим, де Женном та Сент-Джеймсом для контакту метал низькотемпературний надпровідник, запропоновано страйповий механізм відбиттів, що призводить до повного циклу із двома відбиттями електрона й дірки від зовнішньої границі нормального металу. Показано, що до таких відбиттів призводять іони міді у страйпах CuO₂-площини у точковому контакті: іони міді в D-страйпах поглинають і випромінюють у метал тільки електрони, а в U-страйпах тільки дірки. При T < Tc на відстані від границі метал НД ВТНП, що дорівнюється довжині когерентності, у D- та U-страйпах N/S контакту повинні спостерігатися локальні флуктуації антиферомагнітного (АФМ) упорядкування іонів міді: при поглинанні електрона локальний АФМ порядок у страйпах N/S контакту відновлюється, при поглинанні дірки порушується. Відхід електронів і дірок зі страйпів CuO₂-площини НД ВТНП у нормальний метал свідчить про несумісність цих носіїв заряду з локальним АФМ упорядкуванням двовалентних іонів міді в CuO₂-площині. Electron and hole reflections from normal metal (N)–underdoped high-Tc cuprates (UD HTS) interface were studied at T < Tc . These reflections were first observed by G. Deutscher at al. for N–S point contact. In addition to the known Andreev-de Gennes-Saint James mechanism of reflections on superconducting potential, a stripe mechanism of reflections is discussed here. It is shown that for a point contact the copper ions in D-stripes of the CuO₂ plane absorb and emit only electrons, and the copper ions in U-stripes absorb and emit only holes. At T < Tc in D- and U-stripes local fluctuations of antiferromagnetic (AFM) order are observed at a distance from the interface which is equal the coherence length: the local AFM order is restored with electron absorption and it is broken with hole absorption. Escape of electrons and holes from the stripes of CuO₂ plane to N metal suggests that these charge carriers are incompatible with the local AFM ordering of bivalent copper ions in CuO₂ planes. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник On the stripe mechanism of electron and hole reflections from normal metal–underdoped high-Tc cuprates interface Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник |
| spellingShingle |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник Сергеева, Г.Г. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| title_short |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник |
| title_full |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник |
| title_fullStr |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник |
| title_full_unstemmed |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник |
| title_sort |
о страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник |
| author |
Сергеева, Г.Г. |
| author_facet |
Сергеева, Г.Г. |
| topic |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| topic_facet |
Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
On the stripe mechanism of electron and hole reflections from normal metal–underdoped high-Tc cuprates interface |
| description |
При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл
недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых
Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на
сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл
низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий
к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла.
Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном
контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах
только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности,
в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного
(АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах
N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из
страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих
носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости.
При T < Tc досліджено процес відбиттів електрона та дірки від межі нормальний метал недостатньо
допований високотемпературний надпровідник (НД ВТНП), які спостережено Г. Дойтсчером та
ін. на крапковому N/S контакті. На додаток до відомого механізму відбиттів на надпровідному потенц
іалі, розвиненому Андрієвим, де Женном та Сент-Джеймсом для контакту метал низькотемпературний
надпровідник, запропоновано страйповий механізм відбиттів, що призводить до повного циклу
із двома відбиттями електрона й дірки від зовнішньої границі нормального металу. Показано, що
до таких відбиттів призводять іони міді у страйпах CuO₂-площини у точковому контакті: іони міді в
D-страйпах поглинають і випромінюють у метал тільки електрони, а в U-страйпах тільки дірки.
При T < Tc на відстані від границі метал НД ВТНП, що дорівнюється довжині когерентності, у D- та
U-страйпах N/S контакту повинні спостерігатися локальні флуктуації антиферомагнітного (АФМ)
упорядкування іонів міді: при поглинанні електрона локальний АФМ порядок у страйпах N/S контакту
відновлюється, при поглинанні дірки порушується. Відхід електронів і дірок зі страйпів
CuO₂-площини НД ВТНП у нормальний метал свідчить про несумісність цих носіїв заряду з локальним
АФМ упорядкуванням двовалентних іонів міді в CuO₂-площині.
Electron and hole reflections from normal metal
(N)–underdoped high-Tc cuprates (UD HTS) interface
were studied at T < Tc . These reflections
were first observed by G. Deutscher at al. for N–S
point contact. In addition to the known Andreev-de
Gennes-Saint James mechanism of reflections on
superconducting potential, a stripe mechanism of
reflections is discussed here. It is shown that for a
point contact the copper ions in D-stripes of the
CuO₂ plane absorb and emit only electrons, and the
copper ions in U-stripes absorb and emit only holes.
At T < Tc in D- and U-stripes local fluctuations
of antiferromagnetic (AFM) order are observed at
a distance from the interface which is equal the
coherence length: the local AFM order is restored
with electron absorption and it is broken with hole
absorption. Escape of electrons and holes from the
stripes of CuO₂ plane to N metal suggests that these
charge carriers are incompatible with the local AFM
ordering of bivalent copper ions in CuO₂ planes.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120953 |
| citation_txt |
О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT sergeevagg ostraipovommehanizmeotraženiiélektronaidyrkiotgranicynormalʹnyimetallnedostatočnodopirovannyivysokotemperaturnyisverhprovodnik AT sergeevagg onthestripemechanismofelectronandholereflectionsfromnormalmetalunderdopedhightccupratesinterface |
| first_indexed |
2025-12-07T19:23:23Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:23:23Z |
| _version_ |
1850878620960030721 |