Аномалия проводимости неоднородного квазиодномерного электронного канала над жидким гелием

• Published in: Физика низких температур
• Date: 2007
• Main Authors: Ковдря, Ю.З., Николаенко, В.А., Смородин, А.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Subjects: Кpаткие сообщения
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120958
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Аномалия проводимости неоднородного квазиодномерного электронного канала над жидким гелием / Ю.З. Ковдря , В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1166–1169. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Экспериментально изучена проводимость квазиодномерной электронной системы в проводящем канале над жидким гелием в области температур 0,5-1,9 К. Установлено, что для ряда подложек наблюдаются аномалии на зависимости проводимости от потенциала прижимающего электрического поля (резкое понижение проводимости). Такое поведение проводимости, по-видимому, связано с вариациями потенциала вдоль проводящего канала, обусловленными различными видами неоднородностей. Експериментально вивченo провідність квазіодновимірної електронної системи в провідному канал і над рідким гелієм в області температур 0,5-1,9 К. Bстановлено, що для ряду підкладок спостер ігаються аномалії на залежності провідності від потенціалу електричного поля, що притискає (різке зниження провідності). Така поведінка провідності, очевидно, пов'язана з варіаціями потенц іалу уздовж провідного каналу, обумовленими різними видами неоднорідностей. Conductivity of a quasi-one-dimensional electron system in the conducting channel above liquid helium is investigated experimentally in the temperature region 0.5–1.9 K. It is found that anomalies the conductivity as a function of pressing electric field displays (sharp downturn) for some substrates. Such a behavior of conductivity appears to result from variations in the potential along the conducting channel caused by inhomogenities of profiled substrates.