Аномалия проводимости неоднородного квазиодномерного электронного канала над жидким гелием

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 2007
• Автори: Ковдря, Ю.З., Николаенко, В.А., Смородин, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Теми: Кpаткие сообщения
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120958
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Аномалия проводимости неоднородного квазиодномерного электронного канала над жидким гелием / Ю.З. Ковдря , В.А. Николаенко, А.В. Смородин // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1166–1169. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Экспериментально изучена проводимость квазиодномерной электронной системы в проводящем
 канале над жидким гелием в области температур 0,5-1,9 К. Установлено, что для ряда подложек наблюдаются
 аномалии на зависимости проводимости от потенциала прижимающего электрического
 поля (резкое понижение проводимости). Такое поведение проводимости, по-видимому, связано с вариациями
 потенциала вдоль проводящего канала, обусловленными различными видами неоднородностей. Експериментально вивченo провідність квазіодновимірної електронної системи в провідному канал
 і над рідким гелієм в області температур 0,5-1,9 К. Bстановлено, що для ряду підкладок спостер
 ігаються аномалії на залежності провідності від потенціалу електричного поля, що притискає
 (різке зниження провідності). Така поведінка провідності, очевидно, пов'язана з варіаціями потенц
 іалу уздовж провідного каналу, обумовленими різними видами неоднорідностей. Conductivity of a quasi-one-dimensional electron
 system in the conducting channel above liquid
 helium is investigated experimentally in the temperature
 region 0.5–1.9 K. It is found that anomalies
 the conductivity as a function of pressing electric
 field displays (sharp downturn) for some
 substrates. Such a behavior of conductivity appears
 to result from variations in the potential along the
 conducting channel caused by inhomogenities of
 profiled substrates.