Зображення обкладинки

Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface

Influence of low-temperature annealing on electrical and luminescent properties of semi-insulating n-CdTe:Sn is studied. It is shown that annealing at T ≥ 453 K modifies a near-surface layer of the crystals and this enhances the hole component of the conductivity. It is explained by Cd evaporation a...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2005
Автори: Parfenyuk, O.A., Ilashchuk, M.I., Chupyra, S.M., Burachek, V.R., Korbutyak, D.V., Krylyuk, S.G., Vakhnyak, N.D.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120961
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface / O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, S.M. Chupyra, V.R. Burachek, D.V. Korbutyak, S.G. Krylyuk, N.D. Vakhnyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси