Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
A detailed analysis of the method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition x from measurements of 4.2 K peak position of the emission band induced by annihilation of excitons bound with neutral shallow acceptors is given. Found are the conditions fulfillment of which permits to obtain reliable x...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120964 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)
On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
von: K. D. Glinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: K. D. Glinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
von: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)
On the origin of 300 K near-band-edge luminescence in CdTe
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
von: Литовченко, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Литовченко, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
von: Feychuk, P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Feychuk, P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
von: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
On determination of Cd₁₋ₓZnₓTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
von: Chayka, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Chayka, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Luminescence of Co1–xZnxO solid solutions at interband excitation
von: N. B. Gruzdev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: N. B. Gruzdev, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Metal vacancies in Cd1-xZnxS quantum dots
von: I. M. Kupchak, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: I. M. Kupchak, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
von: R. A. Denisjuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: R. A. Denisjuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Plasma treatment of Cd₁₋ₓZnₓTe (x ~ 0.04) single crystals
von: Smirnov, A.B.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smirnov, A.B.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
von: Томашик, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Томашик, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
von: Yu. Pavelets, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Yu. Pavelets, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Взаимодействие твердых растворов ZnxCd1-xTe и Cd₀,₂Hg₀,₈Te с травителями системы NaNО₂–НІ–молочная кислота
von: Денисюк, Р.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Денисюк, Р.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ultraviolet sensors based on ZnxCd1 – xS solid solutions
von: Yu. Pavelets, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Yu. Pavelets, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Crystals Cd₁₋x ZnxTe – a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparations, structure defectness and electrophysical properties
von: Atroshchenko, L.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Atroshchenko, L.V., et al.
Veröffentlicht: (1999)
The chemical, phase composition and optical properties of ZnxCd₁-xS films obtained by close spaced vacuum sublimation
von: Yeromenko, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Yeromenko, Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts
von: Feychuk, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Feychuk, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Сенсори ультрафіолетового випромінювання на основі твердих розчинів ZnxCd1 – xS
von: Pavelets, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Pavelets, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Спектры поглощения тонких пленок твердых растворов Rb₂(Cd₁₋xZnx)I₄
von: Милославский, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Милославский, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Stimulated by heating-up changes of lux-brightness characteristics of semi-in sulating speciallyundoped GaAs crystals
von: Litovchenko, N.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Litovchenko, N.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)
About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
von: Litovchenko, N.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Litovchenko, N.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Sh. A. Mirsagatov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Polariton luminescence in crystals of the CdTe type, taking into account the damping of excitons
von: Zh. Akhmadaliev, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Zh. Akhmadaliev, et al.
Veröffentlicht: (2012)
CdZnTe sensors for X-ray measurements
von: A. V. Rybka, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: A. V. Rybka, et al.
Veröffentlicht: (2006)
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Electron relaxation and mobility in the inverted band quantum well CdTe/Hg₁₋xCdxTe/CdTe
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Melezhik, Ye.O., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kunets, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Mechanisms of carrier transport in CdTe polycrystalline films
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Sukach, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)