Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
A detailed analysis of the method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition x from measurements of 4.2 K peak position of the emission band induced by annihilation of excitons bound with neutral shallow acceptors is given. Found are the conditions fulfillment of which permits to obtain reliable x...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120964 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition / K.D. Glinchuk, N.M. Litovchenko, A.V. Prokhorovich, O.N. Strilchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 39-44. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!