Morphology and optical properties of α-Si:Y films, obtained by electron-beam evaporation method
This paper presents the results of AFM, Raman, IR spectroscopy and ellipsometry of α-Si:Y films prepared by electron-beam evaporation. The influence of the type and temperature of substrates, as well as the evaporation rate on film morphology, composition and optical properties are studied. The evap...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/120966 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Morphology and optical properties of α-Si:Y films, obtained by electron-beam evaporation method / T.V. Semikina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 19-24. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |